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發光材料前沿每周精選丨0923-0929
納米人 納米人 2019-10-06
1. 清華大學Angew: EQE為22.02%效率!窄帶綠色OLED!

高色純度發光一直是高分辨率顯示器的追求。盡管具有多共振的熱激發延遲熒光(MR-TADF)的窄帶發射材料在藍光范圍不斷發展,但這種材料尚未在其他彩色區域驗證其潛力。

 

清華大學Dongdong Zhang Lian Duan等人首次報道了一系列MR-TADF高效綠色發光材料。研究發現,具有電子缺陷性質的外圍單元可以顯著縮小紅移發射的能隙,而不會損害色彩保真度。并研制出了MR-TADF發射器,其光亮度量子產率達90%以上,且FWHM≤25 nm。相應的有機發光二極管具有22.02%/69.82 lm/W(最大外部量子效率/功率效率),并具有出色的長期穩定性。

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Zhang, Y. , Zhang, D. , Wei, J. , Liu, Z. , Lu, Y. and Duan, L. (2019), Multi‐Resonance Induced Thermally Activated Delayed Fluorophores for Narrowband Green OLEDs. Angew. Chem. Int. Ed..

DOI: 10.1002/anie.201911266

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.201911266

 

2. Nanoscale綜述: 鈣鈦礦量子點LED

鈣鈦礦量子點(QDs)由于其高光致發光量子產率(PLQY),窄的發射帶寬,可調諧的波長可覆蓋整個可見光譜以及與柔性/可拉伸電子設備的兼容性,這些優異的特性使鈣鈦礦QD有望用于下一代固體光源和顯示器。

 

近日,河北工業大學Yun-Fei Li吉林大學Jing Feng對鈣鈦礦量子點的發展及其在LED中的應用進行了綜述。重點介紹了鈣鈦礦材料成分設計,合成方法,表面工程和器件優化。并確定了鈣鈦礦量子點不穩定性和鉛毒性是鈣鈦礦光電應用發展的的主要挑戰。最后,展望了鈣鈦礦量子點和其發光二極管進一步發展的前景。

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Li, Y.-F. Feng, J. et al.Perovskite quantum dots for light-emitting devices. Nanoscale 2019.
DOI: 10.1039/c9nr06191f

https://pubs.rsc.org/en/content/articlepdf/2019/nr/c9nr06191f

 

3. Snaith最新Joule: 氧化鈍化金屬鹵化物鈣鈦礦

牛津大學Henry J.SnaithBernard Wenger團隊提出了一種綜合機制,用于鈍化金屬鹵化物鈣鈦礦。研究表明,過氧化氫形成鉛-氧鍵是減少鈣鈦礦缺陷的關鍵因素。過氧化氫可以直接用作有效的“后處理”以模擬該過程,并顯著提高光致發光的量子效率。進一步將該處理方法用于入光伏器件中,以使開路電壓增加50 mV,混合陽離子FA0.83Cs0.17Pb(I0.83Br0.17)3鈣鈦礦太陽能電池具有高達19.2%的穩態效率。

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Oxidative Passivation of Metal Halide Perovskites,Joule

https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2542435119303812

 

4. Nature Nanotechnology: 基于單層WS2的室溫極化發光二極管

紐約市立大學Vinod M. Menon團隊報道了一種電驅動的極化發光二極管(LED),該極化LED在室溫下使用單層二硫化鎢(WS2)作為發光材料。提取的外部量子效率為?0.1%,可與最近的大量有機物和基于碳納米管的極化子電致發光(EL)器件的性能相媲美。在室溫下在原子薄半導體中實現電驅動極化子LED的可能性為在這些系統以及使用范德華(vdW)材料的超快微腔LED中實現無反轉電驅動激光器提供了有希望的一步。

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A room-temperature polariton light-emitting diode based on monolayer WS2,Nature Nanotechnology

https://www.nature.com/articles/s41565-019-0543-6

 

5. ACS Nano: 亮度(1600000 cd / cm2)炸裂!量子點LED亮度創紀錄

高亮度的量子點發光二極管(QLED)在照明和顯示方面具有潛在的應用前景。在高電流密度(J)下實現高亮度。但是,在高J時,效率會大大降低,從而限制了可達到的亮度。這種臭名昭著的現象被稱為效率滾降,這很可能是由俄歇和/或熱誘導的發射猝滅引起的。

 

近日,北京大學Shengdong Zhang聯合南方科技大學Shuming Chen闡明了器件工作期間產生的焦耳熱會顯著影響QLED的滾降特性。為了實現超高亮度和高效的QLED,研究人員通過用1-十二烷硫醇代替常規的油酸配體來提高QD的熱穩定性。通過進一步使用具有高導熱率的基板,可以有效地散發以高J產生的焦耳熱。由于有效的熱管理,熱誘導的發射猝滅得到了抑制,因此,QLED表現出16.6%的高外部量子效率(EQE)。此外,由于降低了效率衰減和增強的散熱性能,QLED可以在高達3885 mA / cm2的極高J下工作,從而使該器件具有1.6×106 cd / cm2的創紀錄高亮度。 該工作證明了熱管理對于開發無滾降和超高亮度QLED器件的重要性,該器件可用于多種應用,包括照明,透明顯示器,投影顯示器,戶外數字標牌,光療等。

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Sun, Y. Zhang, S. Chen, S. et al. Investigation on Thermally Induced Efficiency Roll-Off: Towards Efficient and Ultra-Bright Quantum-Dot Light-Emitting Diodes. ACS Nano 2019.

DOI: 10.1021/acsnano.9b04879

https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsnano.9b04879

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