作為一種具有特殊電學性質的多孔晶態材料，MOF，在微電子器件領域前景遠大。MOF在微電子器件領域應用遇到的一個重大問題在于：薄膜沉積制備方法的選擇。如果按照傳統的粉末制膜工藝，將產生腐蝕和污染問題，不利于整體的納米制造技術的實現。
有鑒于此，Stassen等人利用CVD方法制備得到了厚度均勻可控，比表面積大的高質量ZIF薄膜。
這種MOF-CVD技術包括2個步驟：1）沉積金屬氧化物；2）氣-固反應。利用該技術，研究人員使原先不能實現的在易碎表面刻蝕和涂覆圖案化的lift-off技術煥發新的生命力。
這項工作首次實現了氣相沉積方法制備晶態多孔固體材料，具有里程碑式的意義。
圖1. CVD制備ZIF薄膜方法示意圖
圖2. ZIF薄膜的表征
圖3. ZIF薄膜沉積于高比表面積柱狀陣列中
圖4.原位XRD對氣固反應機理的研究
圖5. MOF-CVD方法集成：在易碎表面刻蝕和涂覆
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