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石墨烯,1天連續2篇Science!
納米人 2022-04-10
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第一作者:M. Said Ergoktas
通訊作者:Coskun Kocabas、Sahin K. Ozdemir
通訊單位:曼徹斯特大學、賓夕法尼亞州立大學

光電器件學術QQ群:474948391
在異常點相鄰的分支奇點c產生的拓撲結構為控制光的傳播提供一種調控方法。有鑒于此,曼徹斯特大學CoskunKocabas、賓夕法尼亞州立大學Sahin K. Ozdemir等使用石墨烯構建光學器件,通過電控制方式在室溫調控太赫茲區間的光與乳酸分子的相互作用。當器件穿過奇點,通過門控電壓控制太赫茲脈沖光的強度和相位。這種電化學調控體系能夠導致能量變化情況復雜的Riemann表面重構,調節損耗不平衡和頻率失諧,能夠控制光的拓撲結構。
光與物質間的弱相互作用/強相互作用
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圖1.構建了在奇點附近控制的光學器件,對太赫茲區間光和物質之間的相互作用進行精確調控,這種器件結構能應用于超越5G無線技術的快速通訊網絡
光和物質之間能夠產生不同程度的耦合和相互作用:當相互作用較弱時,光和物質之間能夠產生關聯,但是不會相互影響成分;當相互作用較強時,光和物質之間的相互作用能夠完全改變系統。
通過光電器件控制光和物質之間的相互作用強度,實現在弱相互作用和強相互作用之間轉變是個非常重大的挑戰。
在這項工作中,作者基于拓撲學奇點構建了一種新型光電器件,實現了在拓撲學奇點調節太赫茲區間的光(對光的強度、相位等參數進行調節)。
奇點效應 
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圖2.器件的光譜表征 (A) 器件在周期性方波電壓脈沖的實現時間分辨反射頻率圖 (B-C) 太赫茲脈沖反射時間分辨強度變化圖和相位變化圖(D) 器件的計算Fresnel反射結果,計算結果與實驗結果相符
在光譜學奇點,開放體系的任意兩個光譜的數值都能夠合并,因此在這個奇點檢測能夠對體系中微弱的變化產生敏感響應
在奇點上體系的能量變化軌跡發生顯著改變,產生維度降低和扭曲的拓撲結構,因此奇點對擾動產生更強的響應,影響局部態密度并且產生更強的自發輻射率,產生增幅。通過控制奇點和奇點的物理過程,可以構建高性能傳感器、成像儀、激光器。
搭建器件
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圖3. (A)乳酸微晶-石墨烯晶體管器件結構(B) 數值模擬 (C) 器件光耦合系統的超模式 (D-E) 乳酸、電解液構建石墨烯晶體管對太赫茲區間光的反射 (F) 石墨烯晶體管器件電壓調控導致損耗不平衡和頻率失諧 
通過石墨烯構建了可調控的太赫茲諧振器,Au箔門電極作為反射鏡。使用連接電極的石墨烯層放置在頂部,形成可調的頂鏡。在鏡子之間的區域加入非易失性離子電解液α-乳糖分子,從而能夠通過調節電壓實現控制頂鏡反射率。
器件控制。通過兩個調節器對該體系進行控制,一個調節器用于提高底鏡的位置,調節空腔的長度改變諧振腔的頻率,實現光與有機乳糖分子集體振動模式耦合,作為體系固定的振蕩器。另一個調節器用于調節石墨烯頂鏡的電壓,調節石墨烯的反射率,實現轉換能量損失的不平衡現象實現調控耦合強度。因此這種方式能夠實現太赫茲和有機分子在弱耦合和強耦合之間轉變。
太赫茲區間相位調控
這個器件通過調節電壓和共振強度,能夠在奇點附近變化,因此拓撲幾何性質得以改變,比如能夠調控相位。雖然相位和振幅的調控是個具有較大挑戰性的課題,這種結構器件實現了前所未有的相位調控能力,能夠在0-4個數量級之間調控。
這種在奇點附近調控光-物質相互作用的拓撲結構,展示了石墨烯結構器件在拓撲光電子學、量子器件、物理/化學處理器的拓撲控制等領域的應用前景。這項工作能夠用于發展新型光電器件和控制光的生成、控制、傳感,同樣能夠用于通訊領域,工作通過控制太赫茲(微波~近紅外之間)區間的光,能用于發展比5G無線網絡更加快速的通訊網絡技術。

參考文獻:M. Said Ergoktas, Sina Soleymani, Nurbek Kakenov,Kaiyuan Wang, Thomas B. Smith5, Gokhan Bakan, Sinan Balci, Alessandro Principi,Kostya S. Novoselov, Sahin K. Ozdemir*, Coskun Kocabas*, Topologicalengineering of terahertz light using electrically tunable exceptional pointsingularities, Science 376, 184–188 (2022)

DOI: 10.1126/science.abn6528

https://www.science.org/doi/10.1126/science.abn6528

 

https://www.innovations-report.com/materials-sciences/electrically-tunable-graphene-devices-to-study-rare-physics/

 

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第一作者:Simon Turkel

通訊作者:Abhay N. Pasupathy

通訊單位:哥倫比亞大學

 

凝聚態物理學術QQ群:1083456536


堆疊的扭角多層石墨烯具有奇特的傳輸性質,目前人們在三層扭曲石墨烯(頂層、底層相對于中間層同時扭轉相同角度)中發現超導效應,這種超導效應與平帶有關。


有鑒于此,哥倫比亞大學Abhay N. Pasupathy等報道通過掃描隧道顯微鏡對堆疊結構進行表征,發現當頂層、底層堆疊過程中產生較小的偏差將導致晶格發生重排,形成三角形區域,這種區域呈現扭轉三層魔角石墨烯結構,相鄰的三角形區域之間形成線狀、點狀缺陷。


實驗和發現。在低溫條件使用掃描隧道電子顯微鏡對扭轉角三層石墨烯進行形貌結構、電子結構表征,發現三層石墨烯重新構建moiré晶格,結構形成鎖定在接近魔角的現象,形成的鏡像對稱空間區域的尺寸與超導相干距離類似。這種晶格重構形成一系列缺陷位點,將其命名為“twistons”和“moiré solitons”,這種缺陷與摻雜形成的顆粒狀電子結構類似

 

Moiré晶格重構

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圖1. STM表征三層堆疊魔角石墨烯


三層魔角石墨烯的形成。將底層石墨烯固定,分別依次將頂部兩層石墨烯旋轉~1.56°魔角、~2×1.56°,因此生成Moiré晶格。在理論上這種方法能夠得到完美的結構,并且導致形成奇異的超導量子態。但是在實際情況中,因為宏觀大面積石墨烯堆疊過程中難以避免形成原子排布失配,因此難以在實驗中得到完美對稱結構堆疊的結構。作者通過掃描隧道顯微鏡觀測,發現了非完美結構Moiré晶格(圖1B-C)


作者在高真空環境使用原子分辨率的掃描隧道顯微鏡在4.8-7.2 K溫度之間表征魔角石墨烯的電子結構。發現堆疊三層石墨烯中產生Moiré晶格重構,通過在原子排列形式為AAA位點發生扭曲,導致AtA位點的原子排列周期性增強,這種Moiré晶格扭曲現象是因為不同區域的局部變化扭轉角和石墨烯產生的應力兩方面原因導致

 

三層石墨烯電子結構

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圖2.三層堆疊石墨烯的均勻電子結構


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圖3. Moiré晶格重構

 

在7.2K溫度和電荷中性點CNP(charge neutralitypoint)條件對AAA位點的電子結構進行表征,發現電子結構是通過一對由于導帶和價帶平帶部分重疊導致共振產生的,其中每個平帶能夠在態密度中形成尖峰或者van Hove奇點,因此通過分析觀測結果發現價帶和導帶van Hove奇點相隔18 eV,價帶和導帶的半峰寬達到~23 eV。

隨后系統性的調節施加電壓(Vg),觀測van Hove奇點的平帶變化規律,發現能夠系統性的調節峰強度、峰距離、峰寬。

 

魔角石墨烯的缺陷

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圖4.魔角三層堆疊石墨烯中平帶共振

 

通過考察實空間的電子結構,在電中性條件發現魔角堆疊三層石墨烯材料形成明顯的畸變,石墨烯堆疊過程的角度失配~0.3°,形成~50 nm方格,與超導相干長度類似。在調節載流子的過程中,發現態密度圖變得更加均勻,意味著畸變現象得到緩解。說明與其他類型Moiré材料相比,堆疊石墨烯具有獨特性質,能夠通過Vg系統的調節電子的無序態。堆疊魔角三層石墨烯中的平帶共振導致電子的無序態降低,增強超導性,說明沿著摻雜軸的超導現象可能因為原子排列無序化產生的。進一步的驗證原子排列無序產生超導的結論需要直接觀測原子排列變化與超導性之間的關系。

 

 

參考文獻:

Simon Turkel, Joshua Swann, Ziyan Zhu, MaineChristos, K. Watanabe, T. Taniguchi, Subir Sachdev, Mathias S. Scheurer,Efthimios Kaxiras, Cory R. Dean, Abhay N. Pasupathy*, Orderly disorder inmagic-angle twisted trilayer graphene, Science 2022, 376 (6589), 193-199

DOI: 10.1126/science.abk1895

https://www.science.org/doi/10.1126/science.abk1895


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