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Nat.commun.: 控制電位以抑制納米線負極SEI膜的形成!
納米人 納米人 2018-08-28

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第一作者:Won Jun Chang

通訊作者:Won Il Park

通訊單位:韓國漢陽大學

 

核心內容:

1. 控制界面上的電位來抑制SEI膜的形成。

2. 使用原子級薄且離子滲透的PS來控制電位。

 

實現高效和超快充電電池的關鍵是開發具有大的儲能容量,高的結構完整和穩定性以及快速電子/離子傳輸的電極材料。高容量材料(如Si,Ge和Sn)被廣泛研究,但由于它們的體積變化大和電極表面上不穩定SEI的形成,往往在循環中容量衰減比較嚴重。設計特殊形貌的各種納米結構可有效緩解由體積變化引起的應變,然由于負極暴露于電解質的表面積增大,產生與SEI穩定性的權衡。

 

為穩定負極上的SEI,通常設計形貌為包覆中空材料(如Si/SiOx納米管)或中空的籠形納米顆粒(如Si@C和Ge@C蛋黃-殼結構)。殼層通過防止電解質和負極之間的直接接觸而提供用于穩定SEI形成的表面,而內部空隙允許負極材料的自由膨脹。

 

然而在每個納米級核的大表面上存在殼/SEI層,增加了納米結構之間的鋰離子和電子傳輸的串聯電阻。這種阻力在小電流循環下可以忽略不計,但在大電流下會出現問題。此外,大多數電化學反應受電位差或梯度的控制,因此可以探索控制電位來控制SEI,此法主要集中在物理界面本身。

 

有鑒于此,漢陽大學Won Il Park課題組通過控制電化學界面上的電位來抑制負極上形成SEI膜。

 

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圖1. 電化學界面設計電位的策略。

 

該課題組設計了將具有高密度的鎳硅化物納米線(NiSiNW)選擇性地錨定在石墨烯微管(GrμTs)的內表面上(稱為NiSiNWs@GrμT)。 GrμTs內部的電解質與外部電位負載電隔離,消除了在鋰化期間驅動NiSiNW表面上形成SEI的電勢差累積。

 

為了克服由SEI引起的基本限制,該課題組提出了一種新的設計概念,引入了潛在護套(PS)的薄壁,其在空間上和電上與電解質分離。高密度的NW固定在護套的內表面。盡管通過大面積的NW和內部電解質界面不會發生Li離子的插入和脫插,但是無SEI的NW表面提供了便于Li傳輸的路徑,適合于超快的鋰化/去鋰化。

 

采用這種方式,NiSiNWs@GrμT表現出優異的性能,在20 C下循環2000次后,仍具有超過700 mAh g-1的高比容量(84%的容量保持率)。此外,容量衰減顯著降低,在80 C時比容量為780 mAh g-1,容量保持率為88%以上(vs.1 C比容量)。

 

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圖2. NiSiNWs@GrμT的制備和結構分析。

 

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圖3. NiSiNWs@GrμT的電化學性能分析。

 

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圖4. 循環后NiSiNWs@GrμT的形貌和SEI表征。

 

此方法基于通用的電化學,因此適用于其他材料(如Si基負極)以進一步改善電化學性能,還可以用于其他電化學裝置和組件。

 

參考文獻:

Controlling electric potential to inhibit solid-electrolyte interphase formation on nanowire anodes for ultrafast lithium-ion batteries[J]. Nature Communications, 2018.

DOI: 10.1038/s41467-018-05986-9

https://www.nature.com/articles/s41467-018-05986-9

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