研究背景
隨著納米技術和分子工程的迅速發展,低維材料的設計和合成引起了廣泛關注。這些材料在電子、光學和磁性等方面展現出獨特的性質,因而在納米電子學、催化和傳感器領域具有巨大的應用潛力。N-雜環卡賓(NHC)是一類強力配體,其與過渡金屬原子的共價相互作用形成的前線分子軌道(FMOs)具有獨特的電子特性。這些新興的電子態已被廣泛應用于化學催化和功能材料的研究。然而,盡管已經探索了在表面自組裝單分子層中形成卡賓-金屬配合物,但設計和電子結構表征擴展的低維NHC-金屬晶格仍然面臨諸多挑戰。NHC配體與金屬的鍵合通常會導致形成穩定的金屬有機結構,這些結構在催化和材料科學中表現出顯著的優勢。然而,現有的研究主要集中在單分子層或小分子配合物上,對于延伸到一維或二維的NHC-金屬晶格的研究較少。傳統方法難以控制這些低維結構的有序組裝和電子性質,從而限制了其在實際應用中的潛力。此外,這些低維結構的功函數通常較高,限制了其在電子器件中的應用。為了解決這一挑戰,加州大學伯克利分校Felix R. Fischer教授,Michael F. Crommie教授和中國科學院外籍院士Steven G. Louie等人在“Science”期刊上發表了題為“Synthesis and characterization of low-dimensional N-heterocyclic carbene lattices”的最新論文。加州大學伯克利分校化學系郄博宇博士、物理系Wang Ziyi博士、Jiang Jingwei博士為論文共同第一作者。本研究提出了一種穩健的方法,通過戰略性設計分子前體進行自下而上原位合成,成功構建了一維(1D)和二維(2D)的NHC-金屬晶格。具體而言,我們通過精確工程化NHC–Au連接的前線軌道,成功設計并合成了一維鏈(1D-NHCAuC)和二維Kagome晶格(2D-NHCAuKL)。這些低維結構的電子特征源自獨特的NHC-金屬鍵合模式。通過掃描隧道光譜和第一性原理密度泛函理論,我們揭示了C-Au-C π鍵合分子態對分散帶的貢獻,發現這些低維晶體具有異常低的功函數,與體塊堿金屬相當。 本研究不僅解決了低維NHC-金屬晶格的有序組裝和電子性質控制的問題,還展示了一種高度模塊化的自下而上方法,為未來探索低維NHC–過渡金屬網絡中出現的電子和磁性現象奠定了基礎。這種方法為設計和合成具有特定功能的低維材料提供了新的途徑,有望推動相關領域的發展。
科學亮點
(1)本實驗首次采用了模塊化方法,通過精心設計分子前體進行自下而上原位合成,成功地構建了一維金屬有機鏈(1D-NHCAuC)和二維Kagome晶格(2D-NHCAuKL)。(2)實驗結果顯示,通過確定性地工程化NHC–Au連接的前線軌道,得到了具有內在金屬性質的低維NHC晶格。這些結構展現出獨特的電子特征,源自NHC–金屬鍵合模式。 (3)通過掃描隧道光譜和第一性原理密度泛函理論分析,揭示了C–Au–C π鍵合分子態形成的單電子占據分子軌道(SOMO)的異常高能量,導致這些低維晶體的功函數降低。(4)與體塊堿金屬相比,這些低維NHC晶格的功函數具有可比性,為未來研究提供了探索低維NHC–過渡金屬網絡中出現的電子和磁性現象的機會。
圖文解讀
圖2. 自下而上的1D-NHCAuC和2D-NHCAuKL的合成。
總結展望
本研究提出的創新設計方法和成功構建的低維NHC晶格為材料科學領域帶來了重要的科學啟迪。首先,通過精心設計分子前體進行自下而上的原位合成,可以實現具有特定功能和結構的分子網絡的制備,為構建新型功能材料奠定了基礎。其次,研究通過精確工程NHC–Au連接的前線軌道,成功構建了一維鏈和二維Kagome晶格,揭示了NHC與過渡金屬之間的獨特鍵合模式,為理解和利用這些體系的電子和磁性性質提供了新思路。同時,利用掃描隧道光譜和第一性原理密度泛函理論對構建的NHC晶格進行了電子結構表征,發現了具有異常低功函數的特性,為開發新型低功函數材料提供了重要參考。最后,采用高度模塊化的自下而上方法,不僅為NHC晶格的構建提供了靈活性和可控性,還為其他分子系統的設計與合成提供了新思路。因此,本研究為未來材料科學的發展提供了新的思想和方法,有望為設計新型功能材料和電子器件帶來重大突破。 Boyu Qie et al. ,Synthesis and characterization of low-dimensional N-heterocyclic carbene lattices.Science384,895-901(2024).DOI:10.1126/science.adm9814