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復旦大學,Nature Nanotechnology!
米測MeLab 納米人 2024-07-22

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第一作者:Shen Zhang
通訊作者:魏大程
通訊作者單位:復旦大學
                           
高性能的大規(guī)模有機光電晶體管需要具有光電轉(zhuǎn)換能力的半導體層以及高分辨率,但是目前人們?nèi)狈_設(shè)計納米結(jié)構(gòu)的方法,而且需要在光電性能與器件微型化之間進行平衡,這極大限制了商業(yè)化。

有鑒于此,復旦大學魏大程等報道光伏納米電池增強策略,這種策略能夠克服光電性能與器件微型化之間的矛盾,得到了大規(guī)模集成規(guī)模的高性能有機光電晶體管。
          
光伏納米電池
          
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圖1. 光伏納米電池

這種納米電池具有零維核殼結(jié)構(gòu),因此能夠在界面形成內(nèi)建電場使激子發(fā)生分裂,從而驅(qū)動光生電荷分別向內(nèi)/向外移動。在光化學充電作用時,核能夠儲存一種電荷,同時核-殼形成的內(nèi)建電場能夠避免電荷逃逸。這種光伏納米電池能夠起到納米光電調(diào)節(jié)器的作用。

納米電池的核結(jié)構(gòu)是量子點,殼結(jié)構(gòu)是p型半導體MA-PTDPPTFT4,當暴露于紫外光條件能夠發(fā)生聚合物交聯(lián),形成內(nèi)部嵌有量子點的網(wǎng)絡(luò)。隨后將含有量子點的納米電池加入到有機晶體管(OPT)的活性層內(nèi)。傳統(tǒng)的OPT主要基于光導電效應(yīng),這種效應(yīng)面臨著光電轉(zhuǎn)化效率較低的難題。光電流的數(shù)值首先于光生激子的數(shù)量,而且傳統(tǒng)OPT難以很好的分離電荷,存在著屏蔽效應(yīng)。修飾PQD量子點的納米電池能夠作為光敏化劑以及電流調(diào)控器的雙重作用,通過PDQ量子點具有的優(yōu)異的光吸收性能和光電轉(zhuǎn)化能力,PQD/MA-PTDPPTFT4界面表現(xiàn)高效率的光轉(zhuǎn)導    

將鈣鈦礦量子點構(gòu)成的核殼結(jié)構(gòu)光伏納米電池安裝在光化學交聯(lián)的有機半導體中,并使用光刻技術(shù)制備大規(guī)模集成(>221個單元)成像芯片。
          
高分辨率的大規(guī)模集成電路
          
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圖2. 使用光伏電池構(gòu)筑超大規(guī)模集成電路
              
將PQD量子點納米電池與有機成像芯片組裝進行大規(guī)模化集成,其中將PDQ納米電池嵌入PTDPPTFT4和POSS和添加劑(光引發(fā)劑和反應(yīng)穩(wěn)定劑)后進行交聯(lián),隨后旋涂和暴露385 nm光照射進行光刻。PDQ能改善POSC的光刻性能,從而能夠進行高分辨率光刻。對比度結(jié)果顯示交聯(lián)反應(yīng)所需的光計量降低58 %,這有助于提高效率。在許多基底上可以進行光刻,包括Si/SiO2、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PDMS(聚二甲基硅氧烷)、PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)。熒光成像表征顯示PQD能夠在形成的圖案內(nèi)均勻分布,能夠打印尺寸在10 μm至0.6 μm的圖案,具有均一的高度和寬度,平均誤差僅為1.7 %。
          

構(gòu)筑超大規(guī)模成像芯片

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圖3. 光伏電池的納米尺度調(diào)節(jié)機制

單獨的每個器件的源電流(Id)-門電流(Vg)曲線顯示器件具有p型半導體特點。隨著光照射強度增加,光電流(Iph)和閾值電壓偏移(ΔVth)能夠進一步增加。在光照射的強度僅為0.588 μm cm-2,仍具有非常明顯的ΔVth。PQD納米電池-POSC構(gòu)筑的有機晶體管具有的ΔVth比目前報道最好的性能更好,說明PQD具有優(yōu)異的調(diào)控作用。Id/Id,0的數(shù)值達到3.1×104,達到不加入PQD的純PTDPPTFT4的4×103倍。而且因為圖案化處理能夠降低電流泄露,使得關(guān)閉態(tài)的電流達到10-12 A,圖案化的PQD-POSC比未經(jīng)過圖案化處理的Id/Id,0強度高10倍。    

安裝在有機光電晶體管內(nèi)的光伏納米電池能夠進行原位的光調(diào)制,光響應(yīng)性能達到6.8×106 A W-1,探測率達到1.1×1013 Jones (1 Hz)。這個數(shù)值是目前大規(guī)模有機成像芯片的最高紀錄。這個體系得到2700萬的像素,像素的密度達到3.1×106 unit cm-2,這個數(shù)值比目前有機成像芯片高兩個數(shù)量級,性能達到了最新的金屬-氧化物-半導體相機芯片的水平

PQD納米電池-POSC滿足長期存儲的需求。在空氣氣氛和室溫、50 ℃、70 ℃存儲30天,或者浸泡在顯影劑內(nèi)10 h后,性能仍得以保持。穩(wěn)定的聚集結(jié)構(gòu)、光學特性和噪聲密度說明器件具有長期穩(wěn)定性,達到實際應(yīng)用的需求。這種成像芯片比Si成像芯片的性能高4個數(shù)量級(R值達到6.8×106 A W-1,D*達到1013 Jones)。大規(guī)模集成器件的分布均勻,在2 μm內(nèi)分布4500×6000個芯片后的R達到6.8×106 A W-1,在SiO2/Si基底上構(gòu)筑相同的大規(guī)模集成器件R僅為6.2×106 A W-1。測試結(jié)果顯示其中的器件能夠正常工作,R的變化系數(shù)處于5.5 %,SiO2/Si的R變化系數(shù)5.7 %。
          

人工視網(wǎng)膜應(yīng)用 

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圖4. 人工視網(wǎng)膜

基于光伏納米電池構(gòu)筑的大面積集成的柔性可伸縮仿生視網(wǎng)膜(biomimetic retina),能夠用于神經(jīng)形態(tài)識別,具有高分辨率以及接近生物體的光響應(yīng)能力和功耗。鈣鈦礦量子點能夠構(gòu)筑仿生視網(wǎng)膜,有可能應(yīng)用于機器人、假眼、環(huán)境檢測等場景。具有低功耗、柔性、可重復使用的優(yōu)勢,而且在通過實驗驗證了高分辨率成像功能。通過這種光伏納米電池增強技術(shù)構(gòu)筑人工視網(wǎng)膜,重現(xiàn)了視網(wǎng)膜的各種功能,而且具有生物組織的柔性和拉伸性,接近人類視網(wǎng)膜的機械性、像素密度、傳感性能、功耗,成為一種具有前景的仿生視網(wǎng)膜。
                        
參考文獻及原文鏈接
Zhang, S., Chen, R., Kong, D. et al. Photovoltaic nanocells for high-performance large-scale-integrated organic phototransistors. Nat. Nanotechnol. (2024).
DOI: 10.1038/s41565-024-01707-0
https://www.nature.com/articles/s41565-024-01707-0

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