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北科大/清華Nature Materials:新突破!塊體材料中高效構(gòu)筑有序氧空位!
米測MeLab 納米人 2025-03-14

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研究背景

氧化物材料是一類重要的功能材料,因其在超導(dǎo)、電離子傳導(dǎo)、催化以及能量存儲(chǔ)與轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用而備受關(guān)注。與傳統(tǒng)的無缺陷氧化物相比,含有氧空位(VO)的氧化物材料在物理化學(xué)性能上展現(xiàn)出諸多優(yōu)勢,例如改善導(dǎo)電性、提高催化活性以及增強(qiáng)離子遷移率。
              
然而,在大塊材料中,氧空位的可控生成與有序調(diào)控仍然面臨巨大挑戰(zhàn),主要由于其大尺寸和有限的表面積,使得傳統(tǒng)的熱處理方法難以有效誘導(dǎo)空位形成,而常規(guī)的電場調(diào)控又需施加極高電場,容易導(dǎo)致材料的電降解或介電擊穿。    
              
鑒于此,北京科技大學(xué)/甬江實(shí)驗(yàn)室陳克新、清華大學(xué)劉光華等人合作在“Nature Materials”期刊上發(fā)表了題為“A facile approach for generating ordered oxygen vacancies in metal oxides”的最新論文。該團(tuán)隊(duì)提出了一種簡便且通用的方法,即通過熱激活與外加電場的協(xié)同作用(ET處理),在三元氧化物 SrAl?O?、二元氧化物 TiO? 及其他常見氧化物材料的大塊晶體中高效生成有序氧空位。
              
該策略利用熱激活降低氧原子擴(kuò)散勢壘,同時(shí)施加電場驅(qū)動(dòng)氧空位的定向遷移,從而在宏觀尺度上實(shí)現(xiàn)氧空位的有序排列。
                  

研究亮點(diǎn)

(1)本研究首次在大塊氧化物材料中實(shí)現(xiàn)了有序氧空位(VO)的高效生成,獲得了具有優(yōu)異功能特性的氧化物材料。盡管VO在許多應(yīng)用中具有重要作用,但其在大尺寸材料中的可控生成和調(diào)控仍然存在挑戰(zhàn)。
                  
(2)實(shí)驗(yàn)通過將熱激活與外加電場相結(jié)合(ET處理),成功在三元氧化物 SrAl?O?、二元氧化物 TiO? 及其他常見氧化物的大塊晶體中誘導(dǎo)了有序VO。該方法利用熱激活降低了氧空位的擴(kuò)散勢壘,同時(shí)通過電場調(diào)控VO的分布,實(shí)現(xiàn)了宏觀尺度上的有序排列。
                      
(3)相比傳統(tǒng)的熱處理方法,該策略不僅提高了VO的生成效率,還克服了因隨機(jī)熱波動(dòng)導(dǎo)致的空位無序問題。與薄膜材料相比,該方法適用于厘米級的大塊材料,無需施加極端強(qiáng)電場,從而避免了電降解和介電擊穿的問題。
                  
(4)VO的有序排列顯著改善了材料的物理化學(xué)性質(zhì),為超導(dǎo)、電離子傳導(dǎo)、催化及能量存儲(chǔ)等應(yīng)用提供了新的可能性。
                  

圖文解讀

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圖1.通過電子輻照(ET)處理在SrAl2O4中形成有序空位結(jié)構(gòu)。
                      
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圖2.SrAl2O4中有序VO的構(gòu)型以及電場對有序VO結(jié)構(gòu)形成的影響。
                                    
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圖3.樣品的余輝性能。
                                                    
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圖4.對樣品進(jìn)行STEM-ABF成像。
                                

結(jié)論展望

總之,本文提出了一種通用且實(shí)用的方法,在大塊氧化物中生成有序氧空位,并顯著提升其功能特性。作者認(rèn)為,這一研究成果在晶體固體中點(diǎn)缺陷的可控調(diào)控方面取得了重要進(jìn)展,并為通過缺陷工程優(yōu)化材料性能提供了新的可能性。
                                         
原文詳情:
Chen, K., Yuan, X., Tian, Z. et al. A facile approach for generating ordered oxygen vacancies in metal oxides. Nat. Mater. (2025).    
https://doi.org/10.1038/s41563-025-02171-4    

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