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時(shí)隔兩周,復(fù)旦這個(gè)團(tuán)隊(duì),再發(fā)Nature!
米測MeLab 納米人 2025-04-21

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研究背景

在追求亞納秒(sub-1-ns)編程速度的非易失性存儲技術(shù)過程中,突破傳統(tǒng)非易失性閃存與高速易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)之間的性能限制,一直是存儲技術(shù)領(lǐng)域長期以來面臨的重要挑戰(zhàn)。


借助先進(jìn)材料所帶來的基礎(chǔ)物理創(chuàng)新,一系列新型存儲器正在被開發(fā),以突破非易失性存儲的速度瓶頸。作為應(yīng)用最廣泛的非易失性存儲技術(shù),閃存的編程速度受限于電場輔助注入機(jī)制的低效率,其報(bào)道的速度遠(yuǎn)慢于亞納秒水平。


有鑒于此,復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院周鵬教授、劉春森研究員等人報(bào)道了一種基于二維增強(qiáng)熱載流子注入機(jī)制、可實(shí)現(xiàn)電子和空穴雙向注入的二維狄拉克石墨烯通道閃存器件。該器件展現(xiàn)出400皮秒的編程速度、非易失性存儲特性,以及超過550萬次循環(huán)的穩(wěn)定耐久性。相關(guān)研究成果以《Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection》為題發(fā)表在《Nature》雜志上。


研究表明,薄體通道結(jié)構(gòu)可以優(yōu)化水平電場(Ey)的分布,提高電場輔助編程效率,使得注入電流在|VDS|=3.7?V時(shí)達(dá)到60.4?pA?μm?1。此外,作者還發(fā)現(xiàn),二維半導(dǎo)體材料二硒化鎢(WSe?)同樣具備二維增強(qiáng)熱空穴注入能力,但其注入行為與石墨烯不同。該研究表明,在相同通道長度下,非易失性閃存的編程速度可以超過最快的易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。    

研究亮點(diǎn)

(1)實(shí)驗(yàn)首次提出并實(shí)現(xiàn)了基于二維材料通道的亞納秒非易失性閃存器件,構(gòu)建了以石墨烯為通道材料的Dirac閃存結(jié)構(gòu),并利用二維增強(qiáng)熱載流子注入機(jī)制(2D-HCI)實(shí)現(xiàn)了400皮秒的超快編程速度,同時(shí)具備非易失存儲特性和超過550萬次的耐久性。


(2)實(shí)驗(yàn)通過引入通道厚度調(diào)控的橫向電場分布效應(yīng)(Ey分布),利用二維材料的原子級厚度優(yōu)勢,顯著提升了Ey最大值,從而大幅增強(qiáng)了熱載流子注入效率。研究發(fā)現(xiàn),與傳統(tǒng)硅材料系統(tǒng)相比,二維材料體系的注入電流提高了數(shù)個(gè)數(shù)量級。


(3)石墨烯實(shí)現(xiàn)了對電子和空穴的高效注入,而二維半導(dǎo)體WSe?則表現(xiàn)出不同的空穴注入行為。進(jìn)一步通過縮短通道長度至0.2微米,器件在低編程電壓(5V)下實(shí)現(xiàn)了400皮秒的快速編程。該研究首次證明了二維材料通道可以突破傳統(tǒng)閃存的速度瓶頸,甚至超過了最快的易失性SRAM器件速度,為下一代高性能非易失存儲技術(shù)提供了新的方向和物理機(jī)制支持。    

                   

圖文解讀

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圖1: 熱載流子注入的材料依賴性行為。    


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圖2: 由通道厚度調(diào)控的Ey分布效應(yīng)所實(shí)現(xiàn)的二維增強(qiáng)熱載流子注入機(jī)制(2D-HCI)。

                     

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圖3: 亞納秒閃存器件的存儲性能。

                     

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圖4: 基于電荷的存儲器在編程電壓與速度方面的性能基準(zhǔn)比較。


結(jié)論展望

基于二維材料的原子級厚度,本文發(fā)現(xiàn)了一種由通道厚度調(diào)控的橫向電場(Ey)分布效應(yīng),可用于提升載流子加速效率,從而實(shí)現(xiàn)二維增強(qiáng)熱載流子注入(2D-HCI)機(jī)制。作者進(jìn)一步構(gòu)建了二維石墨烯閃存器件,并驗(yàn)證該2D-HCI機(jī)制可實(shí)現(xiàn)400皮秒的編程速度,突破了非易失性存儲器亞納秒編程速度的瓶頸。該機(jī)制表現(xiàn)出良好的耐久性,且適用于二維狄拉克材料和二維半導(dǎo)體,表明其具有可靠性。


未來,隨著通道長度的進(jìn)一步縮短,器件性能有望持續(xù)提升。作者的研究成果為在閃存中實(shí)現(xiàn)亞納秒編程速度提供了新的機(jī)制,為高速度非易失性存儲技術(shù)的發(fā)展開辟了新路徑。

               

原文詳情:

Xiang, Y., Wang, C., Liu, C. et al. Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection. Nature (2025). 

https://doi.org/10.1038/s41586-025-08839-w  

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