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中科院物理所:理論計(jì)算篩選本征二維磁性材料!
物理所 納米人 2018-12-19

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在二維層狀材料中實(shí)現(xiàn)磁性是研究人員的重要目標(biāo),因?yàn)槎S磁性材料既是構(gòu)造自旋電子學(xué)器件的基礎(chǔ),又是研究新奇物理現(xiàn)象的平臺(tái)。通常,人們通過摻雜磁性原子或利用界面近鄰效應(yīng)在非磁性材料中引入磁性,但是這些非本征的磁性易受到載流子濃度、雜質(zhì)類型、界面原子結(jié)構(gòu)等因素的影響。因此,人們希望實(shí)現(xiàn)具有本征磁性的二維層狀材料。


先前人們根據(jù)Mermin–Wagner定理,各向同性的單原子層二維材料由于長程熱漲落并不能表現(xiàn)出宏觀磁性,本征二維磁性材料被認(rèn)為不能存在。最近的實(shí)驗(yàn)工作發(fā)現(xiàn),范德瓦爾斯結(jié)合的層狀材料CrI3和Cr2Ge2Te6具有低維長程磁序[Nature 546, 270 (2017), Nature 546, 265 (2017)],這些工作開創(chuàng)了本征二維磁性材料研究的新時(shí)代。目前已知的二維本征磁性材料很少,其較低的居里溫度(<50 K)很難滿足電子學(xué)器件的實(shí)用要求。比如量子反常霍爾效應(yīng)只在極低溫下的復(fù)雜磁性體系中實(shí)現(xiàn),將這類拓?fù)鋺B(tài)應(yīng)用到實(shí)際體系的途徑之一就是尋找新型二維磁性材料。而且,新材料體系的發(fā)現(xiàn)將可能揭示出新的拓?fù)潆娮討B(tài)。

 

近年來,基于第一性原理的高通量篩選方法逐漸成為發(fā)現(xiàn)新材料的途徑,為尋找本征二維磁性材料及研究新奇電子性質(zhì)提供了新手段。最近,中國科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家研究中心表面物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室SF10組博士研究生劉行在副研究員孫家濤和研究員孟勝的指導(dǎo)下,搭建了高通量篩選二維磁性材料的第一性原理計(jì)算流程及相關(guān)數(shù)據(jù)庫,從材料數(shù)據(jù)庫中發(fā)現(xiàn)了數(shù)十種新型層狀磁性材料。一些具有高居里溫度的鐵磁材料還呈現(xiàn)出新穎拓?fù)潆娮討B(tài)。

 


圖1. 高通量篩選磁性二維材料流程


他們把基于Materials Project數(shù)據(jù)庫得到的627種二維材料作為篩選起點(diǎn),首先對(duì)其磁性進(jìn)行了研究,發(fā)現(xiàn)33種反鐵磁二維材料和56種鐵磁二維材料(圖1)。重要的是,24種鐵磁材料的居里溫度均高于實(shí)驗(yàn)證實(shí)的鐵磁體CrI3(圖2)。


對(duì)這些材料的拓?fù)湫再|(zhì)進(jìn)行計(jì)算后發(fā)現(xiàn):

(1)單層VCl3和RuCl3呈現(xiàn)出本征的量子反常霍爾態(tài),同時(shí)具有時(shí)間反演對(duì)稱性破缺導(dǎo)致的K和K’能谷極化,此共存態(tài)被稱為“谷極化的量子反常霍爾態(tài)”(圖3);

(2)單層ScCl具有一種新型費(fèi)米子,被稱為“第二類外爾節(jié)點(diǎn)環(huán)費(fèi)米子”(圖4)。


這既為實(shí)現(xiàn)高溫低維磁體及構(gòu)造自旋電子學(xué)器件奠定了材料基礎(chǔ),也為研究新拓?fù)湮飸B(tài)提供了平臺(tái)。

 



圖2. 89種磁性單層材料及其居里溫度



圖3. 鐵磁性的單層RuCl3具有本征的谷極化量子反常霍爾態(tài)



圖4. 鐵磁性的單層ScCl中存在第二類外爾節(jié)點(diǎn)環(huán)費(fèi)米子


該研究工作得到科技部(項(xiàng)目批準(zhǔn)號(hào)2016YFA0202300, 2016YFA0300902, 2015CB921001, 和2013CBA01600)、國家自然科學(xué)基金委(項(xiàng)目批準(zhǔn)號(hào)11774396和61306114)和中科院(項(xiàng)目批準(zhǔn)號(hào)XDB30000000和XDB07030100)的資助。

 

參考文獻(xiàn):

Hang Liu, Jia-Tao Sun, Miao Liu and Sheng Meng. Screening Magnetic Two-Dimensional Atomic Crystals with Nontrivial Electronic Topology. J. Phys. Chem. Lett., 2018, 9, 6709–6715.

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpclett.8b02783

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