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芳基硅烷化合物具有豐富的反應活性和適應性，是非常重要的合成子。具有非常優異的官能團兼容性，而且方便獲得。雖然具有應用前景，但是三烷基硅基芳烴的C-Si化學鍵極性非常低，同時烷基取代基導致較高的立體位阻效應，導致難以通過過渡金屬催化進行交叉偶聯反應。這些問題導致烷基芳基硅烷對過渡金屬在轉金屬和氧化加成等步驟中表現惰性。

有鑒于此，西湖大學石航等報道Rh催化通過π配位驅動脫硅基策略將烷基硅基芳烴與親電試劑加成。

主要內容

（1）

該反應通過Rh的二價陽離子催化劑活化C-Si化學鍵，因為生成η⁶-芳基配合物增加C-Si化學鍵極性，實現以異裂方式活化C-Si化學鍵。

（2）

通過親電試劑反應生成芳基陽離子，從而有效的生成C-C化學鍵。理論計算結果顯示該反應能夠與氟進行逐步反應從而脫硅基，該過程包括氟與芳基加成、氟原子1,2-轉移，從而消除氟三甲基硅烷。

參考文獻

Yunzhi Lin and Hang Shi*,Rhodium-Catalyzed Addition of (Trialkylsilyl)arenes to Electrophiles via π-Coordination-Driven C–Si Bond Activation, J. Am. Chem. Soc. 2023

DOI: 10.1021/jacs.3c08603

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.3c08603