遠(yuǎn)程外延的概念包括覆蓋在襯底表面的二維范德瓦爾斯層，它仍然使吸附原子能夠跟隨底層襯底的原子基序。生長(zhǎng)模式必須仔細(xì)確定為二維材料中的缺陷，例如針孔，可以允許從襯底直接外延，與橫向外延過(guò)度生長(zhǎng)相結(jié)合，也可以形成外延層。
在這里，麻省理工學(xué)院Jeehwan Kim，世宗大學(xué)Young Joon Hong，康奈爾大學(xué)Darrell G. Schlom，Dong-Hwan Kim展示了幾種獨(dú)特的情況，這些情況只有在遠(yuǎn)程外延中才能觀察到，與其他基于材料的二維外延機(jī)制不同。
文章要點(diǎn)
1）研究人員首先在圖案化的石墨烯上生長(zhǎng)BaTiO3，以建立最小化外延橫向過(guò)度生長(zhǎng)的條件。
2）通過(guò)觀察高分辨率掃描電子顯微鏡證實(shí)的無(wú)針孔石墨烯襯底上生長(zhǎng)的整個(gè)納米尺度的核，研究人員從視覺(jué)上證實(shí)了遠(yuǎn)程外延在原子尺度上是可行的。此外，宏觀上，還顯示了GaN微晶陣列的密度隨襯底的離子性和石墨烯層數(shù)的不同而變化。
參考文獻(xiàn)
Celesta S. Chang, et al, Remote epitaxial interaction through graphene, Sci. Adv. 9 (42), eadj5379.
DOI: 10.1126/sciadv.adj5379
https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.adj5379
