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二維異質(zhì)結(jié)材料具有薄層結(jié)構(gòu)，并且沒(méi)有懸垂化學(xué)鍵，具有非常強(qiáng)的光-物質(zhì)相互作用，因此被認(rèn)為是可能替代傳統(tǒng)Si、Ge、GaN等半導(dǎo)體材料的下一代電子學(xué)材料和光電材料。但是如何直接生長(zhǎng)2D異質(zhì)結(jié)特別是亞穩(wěn)態(tài)的異質(zhì)結(jié)非常困難。為了得到特定晶相二維過(guò)渡金屬硫化物材料，需要發(fā)展能夠控制晶相的合成方法。

有鑒于此，香港城市大學(xué)張華等報(bào)道一種非常簡(jiǎn)單的化學(xué)氣相沉積法合成垂直1H/1T′ MoS₂異質(zhì)結(jié)。

主要內(nèi)容：

（1）

通過(guò)簡(jiǎn)單調(diào)節(jié)生長(zhǎng)過(guò)程的氣氛，能夠在半導(dǎo)體1H-MoS₂上原位生長(zhǎng)半金屬1T′-MoS₂，從而得到垂直半導(dǎo)體/半金屬1H/1T′異質(zhì)結(jié)。通過(guò)1H/1T′異質(zhì)結(jié)構(gòu)筑的器件表現(xiàn)整流能力，電流整流性能達(dá)到~10³。此外，1H/1T′異質(zhì)結(jié)MoS₂光電探測(cè)其器件在532 nm的響應(yīng)達(dá)到1.07 A/W，暗電流僅為10^-11 A。

（2）

這些結(jié)果說(shuō)明1H/1T′ MoS₂異質(zhì)結(jié)構(gòu)是具有前景的光電探測(cè)器以及整流器。這項(xiàng)工作有助于調(diào)節(jié)過(guò)渡金屬硫化物的晶相，有助于理解和運(yùn)用晶相控制策略提高電子學(xué)器件的性能。

參考文獻(xiàn)

Yongji Wang, Wei Zhai, Yi Ren, Qinghua Zhang, Yao Yao, Siyuan Li, Qi Yang, Xichen Zhou, Zijian Li, Banlan Chi, Jinzhe Liang, Zhen He, Lin Gu, Hua Zhang, Phase-Controlled Growth of 1T′-MoS₂ Nanoribbons on 1H-MoS-₂ Nanosheets, Adv. Mater. 2023

DOI: 10.1002/adma.202307269

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202307269