硫化銅銦（CuInS2）是一種具有高吸收系數和直接帶隙的三元A（I）B（III）X（VI）2型半導體。近日，南京郵電大學Xu Xiuwen、Zhao Qiang、香港城市大學 Wang Feng對用于新興應用的CuInS2納米晶體的合成和雜化進行了綜述研究。
本文要點：
1) 為了探索其實際應用，科研工作者已經合成了納米級CuInS2，其晶體尺寸一直到量子區域。CuInS2納米晶體（NC）的優點包括寬的發射可調諧性、大的斯托克斯位移、長的衰變時間和生態友好性，使其在光電子和光伏領域極具應用前景。
2) 在過去的二十年里，濕法化學合成的進展已經在膠體CuInS2 NCs的制備和合成后陽離子交換過程中實現了對陽離子-陰離子反應性的合理控制。精確的納米合成與一系列雜交策略相結合，產生了具有高度可定制光物理性質的CuInS2納米晶體庫。作者綜述研究了利用先進的合成和雜交技術開發CuInS2納米晶體的最新進展。作者表明，CuInS2納米晶體在光電和生物醫學應用中將發揮著重要作用。
Bing Chen et.al Synthesis and hybridization of CuInS2 nanocrystals for emerging applications Chem. Soc. Rev. 2023
DOI: 10.1039/D3CS00611E
https://doi.org/10.1039/D3CS00611E
