二維（2D）鉍預計具有有趣的物理性質，但由于高表面能限制，其制備仍然具有挑戰性。
在此，南京大學金鐘教授，Jing Ma報告了一種夾層外延生長策略，用于在銅箔基板和六方氮化硼覆蓋層之間可控制備二維鉍。
文章要點
1）頂部h-BN層在抑制鉍的結構轉變和補償從鉍到Cu(111)表面的電荷轉移方面起著至關重要的作用。
2）由于 h-BN 層的鈍化作用，鉍納米片在空氣中高達 500 °C 的溫度下表現出優異的熱穩定性。
3）此外，鉍烯納米片在電化學二氧化碳還原反應中表現出高達 96.3% 的甲酸生產效率，這是已知的鉍基電催化劑中最高的法拉第效率之一。
這項研究提供了一種同時合成和保護二維鉍納米片的有前景的方法，該方法可以擴展到其他具有高表面能的二維材料。
參考文獻
Yi Hu, et al, Sandwiched Epitaxy Growth of 2D Single-Crystalline Hexagonal Bismuthene Nanoflakes for Electrocatalytic CO2 Reduction, Nano Lett., 2023
DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c03310
https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.3c03310
