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傳統的氣相沉積法進行外延生長二維材料或異質結通常需要使用較大的反應器，在反應器中反應物從源轉移到生長基底上。

有鑒于此，普林斯頓大學吳三豐、Leslie M. Schoop、Yanyu Jia等在納米二維限域空間進行二維材料生長，這種生長方法無需在反應器中進行，實現了以片上生長（on-chip approach）方式生長二維材料。

主要內容

（1）

這種合成方法基于作者發現的一種快速長距離非Fickian傳輸現象，這種傳輸能夠在低于材料熔點的溫度將原子層Pd均勻的轉移到單層WTe₂上。這種納米限域生長能夠控制生成穩定的2D晶體Pd₇WTe₂，單層晶種能夠以自由的暴露或者完全封裝在vdW堆疊層內。

（2）

這種合成技術具有非常好的普適性，能夠用于納米器件的制備，為拓展2D材料的空間以及拓展2D材料功能提供更多機會。

參考文獻

Jia, Y., Yuan, F., Cheng, G. et al. Surface-confined two-dimensional mass transport and crystal growth on monolayer materials. Nat. Synth (2023)

DOI: 10.1038/s44160-023-00442-z

https://www.nature.com/articles/s44160-023-00442-z