無機薄膜半導體的轉移印刷已引起人們的廣泛關注，以在特殊基材上實現高性能軟電子產品。然而，傳統的轉印技術，包括彈性體轉印、激光輔助轉印和靜電轉印，仍然存在諸如印模可重復使用性、額外的粘合劑和設備損壞等具有挑戰性的問題。據報道，微真空輔助選擇性轉移將微米尺寸的無機半導體組裝到非常規基板上。通過激光誘導蝕刻技術在玻璃基板上形成20微米尺寸的微孔陣列。真空可控模塊由激光鉆孔玻璃和硬質聚二甲基硅氧烷微通道組成，能夠選擇性地調節微芯片陣列上的微真空吸力。
近日，韓國科學技術院Keon Jae Lee通過微真空轉移過程中的壓力控制實現 3.364 × 106 的超高粘合可切換性，有助于薄膜半導體的拾取和釋放，而不會產生額外的粘合劑和芯片損壞。
文章要點
1）通過將來自不同母晶圓的不同形狀和尺寸的微芯片組裝在同一平面上，演示了 III-V 族材料和硅的異質集成。
2）通過兩個獨立真空通道的獨立壓力控制實現多次選擇性轉移，轉移良率高達98.06%。
3）最后，通過微真空輔助選擇性轉移制造出具有均勻電/光特性的柔性微型發光二極管和晶體管。
參考文獻
Park, S.H., Kim, T.J., Lee, H.E. et al. Universal selective transfer printing via micro-vacuum force. Nat Commun 14, 7744 (2023).
DOI：10.1038/s41467-023-43342-8
https://doi.org/10.1038/s41467-023-43342-8
