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降低硅基晶體管的尺寸能夠降低功耗，提高處理速度，提高計(jì)算容量，但是通常降低硅基晶體管產(chǎn)生短溝道效應(yīng)（short-channel effects）。由于二維半導(dǎo)體具有超薄和高介電常數(shù)的優(yōu)點(diǎn)，因此有助于解決短溝道效應(yīng)。但是，因?yàn)槿鄙倬哂性庸饣谋砻娌⑶覜](méi)有懸空鍵的高介電常數(shù)二維材料，阻礙二維電子學(xué)器件的發(fā)展。

有鑒于此，武漢大學(xué)付磊、曾夢(mèng)琪、南京大學(xué)繆峰等通過(guò)精確控制生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)，合成厚度超薄的LaOCl vdW材料，表現(xiàn)高達(dá)10.8的優(yōu)異介電常數(shù)，而且擊穿電場(chǎng)的強(qiáng)度達(dá)到10 MV/cm。

本文要點(diǎn)：

（1）

與傳統(tǒng)的MoS₂場(chǎng)效應(yīng)晶體管相比，LaOCl場(chǎng)效應(yīng)晶體管的回滯幾乎可忽略。這是因?yàn)長(zhǎng)aOCl與MoS₂之間能夠形成非常好的界面。這項(xiàng)工作有助于進(jìn)一步發(fā)展稀土氧氯化物和能夠突破Moore規(guī)律的納米電子器件。

參考文獻(xiàn)

Linyang Li, Weiqi Dang, Xiaofei Zhu, Haihui Lan, Yiran Ding, Zhu-An Li, Luyang Wang, Yuekun Yang, Lei Fu, Feng Miao, Mengqi Zeng, Ultrathin Van Der Waals Lanthanum Oxychloride Dielectric for Two-Dimensional Field-Effect Transistors, Adv. Mater. 2023

DOI: 10.1002/adma.202309296

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.202309296