自旋霍爾效應（SHE）可以通過電流產生純自旋電流，有望用于電控制磁化。為了降低這種控制的功耗，在實際應用的低電阻率系統中需要 SHE 中的巨大自旋霍爾角 (SHA)。
在這里，中科院物理所Caihua Wan，Xiufeng Han，洛林大學Yuan Lu報道了鉻 (Cr) 中反鐵磁 (AFM) 相變附近的臨界自旋漲落被證明是創建 SHE 附加部分（稱為漲落自旋霍爾效應）的有效機制。
文章要點
1）當溫度接近Cr的尼爾溫度（TN）時，SHA顯著增強，并在TN附近具有-0.36的峰值。該值比室溫值高 153%，并且在已知的自旋軌道扭矩材料中具有較低的歸一化功耗。
這項研究證明了臨界自旋漲落是增加 SHA 的一種有前景的方法，并豐富了自旋軌道電子器件的 AFM 候選材料。
參考文獻
Chi Fang, et al, Observation of the Fluctuation Spin Hall Effect in a Low-Resistivity Antiferromagnet, Nano Lett., 2023
DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c03085
https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.3c03085
