離子門(mén)控晶體管 (IGT) 是離子電子器件，其中溝道層與電解質(zhì)直接接觸，利用離子和電子通量的耦合性質(zhì)。這一功能使它們能夠提供高效的柵極通道電容耦合，并充當(dāng)?shù)蛪簜鞲衅鞣糯笃饕约吧锖碗娮訉W(xué)之間的交互接口。
近日，中科院化學(xué)所劉云圻院士，郭云龍研究員綜述了分子水平的離子門(mén)控晶體管材料設(shè)計(jì)的研究進(jìn)展。
文章要點(diǎn)
1）作者首先討論離子門(mén)控的基本機(jī)制。回顧了用作通道層的不同類型的有機(jī)材料。具體來(lái)說(shuō)，總結(jié)了在分子水平上提供了對(duì)通道材料設(shè)計(jì)策略的見(jiàn)解，以闡明這與器件性能的關(guān)系。
2）作者還重點(diǎn)介紹了幾種電解質(zhì)材料，因?yàn)樗鼈兊幕瘜W(xué)結(jié)構(gòu)以及與納米級(jí)通道層的相互作用在調(diào)節(jié) IGT 的運(yùn)行中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。隨后，總結(jié)了涉及材料自組裝的生化檢測(cè)的有前景的應(yīng)用。
3）最后，作者提出了IGT發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景。
參考文獻(xiàn)
Liu et al., Design of ion-gated transistor materials at the molecular level, Matter (2023)
DOI：10.1016/j.matt.2023.11.024
https://doi.org/10.1016/j.matt.2023.11.024
