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氧化銦錫薄膜由于其高的光學透明性和導電性，是一種極具潛力的光子電路設計和應用材料。然而，它們微弱的光學非線性一直是非線性信號處理應用的主要障礙。近日，浙江大學Qian Haoliang、Chen Hongsheng研究了氧化銦錫單層的二階磁化率在

本文要點：

1) 作者證明了原子厚度（~1.5?nm）的空氣/銦錫氧化物/SiO₂量子阱形式的銦錫氧化物膜具有~1800 pm V^-1的二階磁化率χ²。作者通過第一性原理計算和量子靜電建模發現，量子阱的非對稱勢能中存在電子帶間躍遷共振，這也是產生這種大χ²值的原因。

2) 由于χ²值是傳統非線性LiNbO₃晶體的20多倍，該氧化銦錫量子阱設計在非線性光子電路中極具應用前景，如有效的頻率轉換、參數放大、糾纏光子對的產生和電光調制。

參考文獻：

Yiyun Zhang et.al Large second-order susceptibility from a quantized indium tin oxide monolayer Nature Nanotechnology 2024

DOI: 10.1038/s41565-023-01574-1

https://doi.org/10.1038/s41565-023-01574-1