二維莫爾材料是通過覆蓋取向或晶格常數差異較小的兩層晶體形成的，其中它們的直接耦合產生莫爾電勢。莫爾材料已成為發現新物理和器件概念的平臺，但盡管莫爾材料具有高度可調性，但一旦形成，莫爾晶格就無法輕易改變。近日，康奈爾大學Kin Fai Mak、Jie Shan報道了莫爾晶格在單層半導體上的靜電壓印。
本文要點：
1) 莫爾電位是由遠程MoSe2/WS2莫爾雙層中的電子晶格產生的，它在單層中形成平坦帶和絕緣態的莫爾電位，并可以通過柵極調節莫爾雙層的摻雜密度來打開/關閉。
2) 此外，作者還研究了靜電弛豫和結構弛豫對莫爾壓印貢獻之間的相互作用。該工作展示了一條實現莫爾晶格柵極控制的新途徑。
Jie Gu et.al Remote imprinting of moiré lattices Nature Materials 2024
DOI: 10.1038/s41563-023-01709-8
https://doi.org/10.1038/s41563-023-01709-8
