通過扭曲三層石墨烯形成的莫爾超晶格是研究相關電子行為的有用模型，與形成的雙層類似物相比，莫爾超晶格具有幾個優勢，包括更多樣的相關相集合和更穩健的超導性。自發結構弛豫極大地改變了莫爾超晶格的行為，并被認為在三層超導電性的相對穩定性中發揮著重要作用。鑒于此，來自加利福尼亞大學化學系的D. Kwabena Bediako等人通過使用干涉四維掃描透射電子顯微鏡方法直接探測廣泛的三層石墨烯結構上的局部石墨烯層排列。我們的結果使我們深入了解了重建如何調節局部晶格對稱性，這對于在扭曲的石墨烯三層中建立相關相至關重要，顯示出與先前提出的明顯不同的弛豫結構。
文章要點：
1) 該研究開發的這項技術利用衍射電子束中的局部干涉圖案來明確推導原子層的堆疊取向。與掃描隧道顯微鏡（STM）和更傳統的STEM方法不同，這項技術使該研究能夠探測封裝材料內的莫爾圖案；
2) 此外，它還促進了復雜多層材料內單個雙層界面的選擇性成像，這些結果提供了扭曲石墨烯三層內局部原子堆疊的直接評估，研究中4D-STEM測量的結果表明，重建的圖像與之前的STM工作27提出的圖像明顯不同，這對理解這些材料中的相關電子物理具有重要意義。
參考資料：
Craig, I.M., Van Winkle, M., Groschner, C. et al. Local atomic stacking and symmetry in twisted graphene trilayers. Nat. Mater. (2024).
10.1038/s41563-023-01783-y
https://doi.org/10.1038/s41563-023-01783-y
