對具有靈活性、耐磨性、耐用性和高性能的電子設備的追求使二維（2D）范德華材料成為潛在的下一代半導體，特別值得注意的是硒化銦，它表現出了令人驚訝的超高塑性。為了加深對二維范德華材料中這種不尋常的塑性的理解，并探索無機塑性半導體，來自香港理工大學應用物理系的Jiong Zhao和Ming Yang等人對金屬單硫族化合物（MX）和過渡金屬二硫屬化合物（MX2）進行了深入的實驗和理論研究。
文章要點：
1) 該研究在MX中發現了一種普遍的塑性變形模式，這是由相變、層間滑移和微裂紋的協同作用促進的，這與具有強原子鍵的晶體形成對比，如金屬和陶瓷，其中塑性主要由位錯、孿晶或晶界驅動；
2) 此外，滑動勢壘的增強通過堆疊順序改變后的釘扎效應防止宏觀斷裂，2D MX材料中超高塑性和相變機制的發現對高性能無機塑料半導體的設計和開發具有重大潛力。
參考資料：
Wong, L.W., Yang, K., Han, W. et al. Deciphering the ultra-high plasticity in metal monochalcogenides. Nat. Mater. (2024).
10.1038/s41563-023-01788-7
https://doi.org/10.1038/s41563-023-01788-7
