在當今的非易失性存儲器中，基于鐵電體的電容器、隧道結和場效應晶體管(FET)已經被工業集成和/或被集中研究以提高它們的性能。同時，由于人工智能和大數據問題的巨大發展，迫切需要實現高密度交叉陣列，這是未來存儲器和新興計算算法的先決條件。
華東師范大學Bobo Tian等設計了兩端鐵電鰭式二極管(FFD),其中鐵電電容器和鰭狀半導體溝道被組合以共享頂部和底部電極。
本文要點：
（1）
這種器件不僅顯示出數字和模擬存儲功能，而且由于它使用兩種非常不同的鐵電材料工作，因此是魯棒的和通用的。與所有當前的非易失性存儲器相比，其累積表現出高達1010個周期的耐久性、約102的開/關比、30 nm的特征尺寸、約20 fJ的工作能量和100 ns的工作速度。
（2）
除了這些優異的性能之外，簡單的雙端結構和大約104的自整流比允許將它們視為設計無源交叉桿陣列的新電子構建模塊，這對未來的內存計算至關重要。
參考文獻:
Feng, G., Zhu, Q., Liu, X. et al. A ferroelectric fin diode for robust non-volatile memory. Nat Commun 15, 513 (2024).
DOI: 10.1038/s41467-024-44759-5
https://doi.org/10.1038/s41467-024-44759-5
