最近，人們對可編程光子集成電路的興趣日益增長，將其作為深度神經網絡、量子計算和現場可編程陣列（FPGAs）的潛在硬件框架。然而，這些電路受到所用移相器的有限調諧速度和大功耗的限制。
惠普實驗室Bassem Tossoun等介紹了作為非易失性硅光子移相器的憶阻器，一種與微環諧振器異質集成的金屬氧化物憶阻器。
本文要點：
（1）
這些器件的保持時間為12小時，開關電壓低于5 V，持續時間為1000個開關周期。此外，這些微諧振器已經使用300 ps長的電壓脈沖進行了開關，其開關能量為0.15 pJ。
（2）
此外，這些諧振器是在異質III-V-on-Si平臺上制造的，該平臺能夠直接在芯片上集成豐富的有源和無源光電子器件系列，以實現內存光子計算并進一步提高集成光子處理器的可擴展性。
參考文獻:
Tossoun, B., Liang, D., Cheung, S. et al. High-speed and energy-efficient non-volatile silicon photonic memory based on heterogeneously integrated memresonator. Nat Commun 15, 551 (2024).
DOI: 10.1038/s41467-024-44773-7
https://doi.org/10.1038/s41467-024-44773-7
