在當今的非易失性存儲器中，鐵電電容、隧道結和場效應晶體管(FET)已經被工業集成和/或深入研究，以提高它們的性能。同時，由于人工智能和大數據問題的巨大發展，迫切需要實現高密度交叉開關陣列，這是未來存儲器和新興計算算法的先決條件。
在這里，華東師范大學Bobo Tian設計了一種兩端鐵電鰭狀二極管(FFD)，其中鐵電電容和鰭狀半導體溝道結合在一起，共享上下電極。
文章要點
1）這種設備不僅顯示了數字和模擬存儲功能，而且由于它使用兩種非常不同的鐵電材料工作，所以也是堅固和通用的。
2）與目前所有的非易失性存儲器相比，它的累計耐久性高達1010個周期，通斷比約為102，特征尺寸為30 nm，操作能量約為20 fJ，操作速度為100 ns。
3）除了這些優異的性能外，簡單的兩端結構和104的自整流比允許將它們視為新的電子構建塊，用于設計無源交叉開關陣列，這對未來的內存計算至關重要。
參考文獻
Feng, G., Zhu, Q., Liu, X. et al. A ferroelectric fin diode for robust non-volatile memory. Nat Commun 15, 513 (2024).
DOI: 10.1038/s41467-024-44759-5
https://doi.org/10.1038/s41467-024-44759-5
