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多孔結(jié)構(gòu)會(huì)阻礙聲子傳輸，但不可避免地會(huì)惡化電學(xué)和力學(xué)性能。為了抑制孔隙的形成，清華大學(xué)Li Jingfeng、Yu Jincheng提出了一種化學(xué)鍵工程策略，通過(guò)適當(dāng)?shù)脑厝〈鷣?lái)限制Cu₂Se基材料中的揮發(fā)性Se。

本文要點(diǎn)：

1) 得益于降低的孔隙率和有效的雙摻雜，添加Gd₂S₃的Cu_1.99Se樣品的Cu空位和載流子遷移率得到了優(yōu)化，導(dǎo)致在1000 K下具有~17.4μW cm^?1 K^?2的超高功率因數(shù)。

2) 在ΔT=516 K的條件下，制造的相應(yīng)裝置保持了~9.0%的高轉(zhuǎn)換效率和~663.3 mW cm^?2的功率密度，并且在110次穩(wěn)定性測(cè)試循環(huán)中沒(méi)有明顯衰減。

參考文獻(xiàn)：

Haihua Hu et.al Chemical bond engineering toward extraordinary power factor and service stability in thermoelectric copper selenide Joule 2024

DOI: 10.1016/j.joule.2023.12.019

https://doi.org/10.1016/j.joule.2023.12.019