要獲得晶態或取向的無機功能薄膜，通常需要較高的合成溫度和特定的生長襯底，這對它們在傳統柔性襯底上大規模、低成本(光電)電子應用中的應用構成了巨大的挑戰。
在這里，香港城市大學Johnny C. Ho，You Meng，Chun-Yuen Wong探索了一種在多個聚合物襯底上制備熱電金屬硫化物(如Bi2Se3、SnSe2和Bi2Te3)薄膜的脈沖輻照合成方法。
文章要點
1）自蔓延燃燒過程使PIS的合成溫度低至150 °C，超快反應在一秒內完成。
2）除了光電熱電(PTE)特性外，還研究了聚合物襯底和Se酸鉍薄膜之間的熱耦合，以提高PTE性能，在1550 nm處獲得了71.9V/W的響應率和小于50ms的響應時間，超過了大多數同類器件。
該PIS平臺為以節能、省時和低成本的方式實現靈活的PTE或熱電設備提供了一條很有前途的途徑。
參考文獻
Zhang, Y., Meng, Y., Wang, L. et al. Pulse irradiation synthesis of metal chalcogenides on flexible substrates for enhanced photothermoelectric performance. Nat Commun 15, 728 (2024).
https://doi.org/10.1038/s41467-024-44970-4
