二維（2D）材料由于其非凡的性質以及通過門控、鄰近、應變和外場的可調諧性而在科技界引起了極大的興趣。對于電子應用，理想的2D材料應具有高遷移率、空氣穩定性、相當大的帶隙，并與大規模合成兼容。
俄亥俄州立大學Chun Ning Lau等使用夾在六方BN（hBN）之間的原子級薄幾層PdSe2片演示了空氣穩定的場效應晶體管。
本文要點：
（1）
其大飽和電流>?350 μA/μm，在300 K和2 K下的高場效應遷移率分別為約700和10，000 cm2/Vs。
（2）
同時，插入的過渡層有助于空穴注入并有助于減少電子泄漏，導致峰值外部量子效率為23%。
參考文獻:
Zhang, Y., Tian, H., Li, H. et al. Quantum octets in high mobility pentagonal two-dimensional PdSe2. Nat Commun 15, 761 (2024).
DOI: 10.1038/s41467-024-44972-2
https://doi.org/10.1038/s41467-024-44972-2
