一级黄色网站在线视频看看,久久精品欧美一区二区三区 ,国产偷国产偷亚洲高清人乐享,jy和桃子为什么绝交,亚洲欧美成人网,久热九九

熱電材料在實際應用中需要高功率因數和ZT值，因為它們分別決定了輸出功率和轉換效率。然而，當引入結構缺陷以追求高ZT值時，通常會抑制平均功率因數。近日，電子科技大學Xiao Yu通過雙間隙摻雜，在n型Pb_1.02Se-0.2%Cu中同時實現了24.18μW cm^-1 K^-2的高平均功率因數和300-773 K下1.01的平均ZT值。

本文要點：

1) 其優異的熱電性能主要源于Pb和Cu雙間隙引起的去耦載流子和聲子輸運特性。首先，n型Pb_1.02Se-0.2%Cu中的Pb和Cu雙間隙可以完全優化依賴于溫度的載流子密度，從300 K時的1.27×10¹⁹ cm^-3到773 K時的3.90×10¹⁹ cm^-3，從而將功率因數最大化為32.83μW cm^-1 K^-2，并產生24.18μW cm^-1 K^-2的平均功率因數。

2) 此外，Pb和Cu雙間隙導致電子主導的分級缺陷（陽離子間隙、Se空位和位錯），這顯著降低晶格熱導率，同時保持高的電輸運性質。由于優化了電和熱傳輸特性，n型Pb_1.02Se-0.2%Cu的熱電性能在寬溫度下大大增強。

參考文獻：

Yu Xiao et.al Advanced Average Power Factor and ZT Value in PbSe Thermoelectric with Dual Interstitials Doping EES 2024

DOI: 10.1039/D3EE04539K

https://doi.org/10.1039/D3EE04539K