多晶SnSe由于其易于加工、可加工性和放大應用而在熱電應用中備受關(guān)注。近日，南京理工大學Tang Guodong、Chen Guang、南京大學Wang Meiyu通過簡單水熱合成的Ge和S共摻雜SnSe納米棒具有2.4的峰值ZT和0.9的高平均ZT。
本文要點：
1) 沿[100]優(yōu)先取向的SnSe納米棒在散射載熱聲子方面發(fā)揮著主導作用，導致超低的晶格熱導率。Ge摻雜促進了SnSe電子結(jié)構(gòu)中的能帶排列，在873K時產(chǎn)生了高塞貝克系數(shù)和5.84μW cm?1 K?2的功率因數(shù)。
2)多晶SnSe在寬溫度范圍內(nèi)實現(xiàn)了極高的峰值ZT和高平均ZT。此外，該材料具有優(yōu)異的硬度和晶粒細化引起的抗壓強度。多晶SnSe的高熱電性能和機械性能為其在廢熱回收和發(fā)電中的廣泛應用開辟了重要途徑。
Yaru Gong et.al Realizing the high thermoelectric performance of highly preferentially oriented SnSe based nanorods via band alignment EES 2024
DOI: 10.1039/D3EE04109C
https://doi.org/10.1039/D3EE04109C
