高對比度光學檢測磁共振是在室溫下讀出孤立缺陷色心自旋的一種重要特性。人們已經在包括金剛石、SiC和六方氮化硼在內的寬帶隙材料中研究了自旋活性單缺陷中心，每種材料都具有獨特的應用優勢。近日，康奈爾大學Gregory D. Fuchs報道了在GaN中存在的兩種不同缺陷中心中發現的光學檢測磁共振。
本文要點：
1) 在一組中，作者發現了與亞穩電子態相關的負光學檢測磁共振，而在另一組中發現了高達30%的與基態和光學激發電子態有關的正光學檢測磁諧振。
2) 作者研究了每個缺陷物種的自旋對稱軸，并建立了對單個缺陷基態自旋的相干控制。這些結果有望用于可擴展和集成的量子傳感應用。
Jialun Luo et.al Room temperature optically detected magnetic resonance of single spins in GaN Nature Materials 2024
DOI: 10.1038/s41563-024-01803-5
https://doi.org/10.1038/s41563-024-01803-5
