最近在范德瓦爾斯磁性材料（vdWMM）中發現的新興磁性拓寬了開發用于高能效計算的自旋電子器件的材料空間。盡管在vdWMM的發現方面取得了顯著進展，但在室溫下對vdw mm進行非易失性、確定性開關的解決方案一直缺乏，這限制了它們在商業自旋電子器件中的應用前景。
麻省理工學院Deblina Sarkar等報告了室溫下vdW磁性材料中電流控制的非易失性確定性磁化切換的首次演示。
本文要點：
（1）
作者使用高達320 K的Pt自旋霍爾層實現了PMA·vdW鐵磁體Fe3GaTe2的自旋軌道轉矩（SOT）切換，室溫下的閾值切換電流密度低至1.69×106 A cm-2。使用二次諧波霍爾電壓測量技術，作者還定量估計了Fe3GaTe2/Pt雙層系統的反阻尼類SOT效率。
（2）
這些結果標志著vdW磁性材料成為開發可擴展、高能效自旋電子器件的可行選擇的關鍵一步。
參考文獻:
Kajale, S.N., Nguyen, T., Chao, C.A. et al. Current-induced switching of a van der Waals ferromagnet at room temperature. Nat Commun 15, 1485 (2024).
DOI: 10.1038/s41467-024-45586-4
https://doi.org/10.1038/s41467-024-45586-4
