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人們發現InP/ZnSe/ZnS量子點是具有前景的能夠用于有機QLED器件，但是InP/ZnSe/ZnS量子點通常表現非常低的發光效率，這可能是因為量子點容易發生氧化導致。

有鑒于此，首爾大學Jungwon Park、三星公司Young-Gil Park等使用高分辨率的掃描透射電子顯微鏡表征技術研究量子點的各種不同缺陷結構在UV光照射條件量子點氧化過程缺陷的演變情況。

本文要點

（1）

UV光照射導致量子點的殼氧化導致形貌變化，同時ZnSe表面無法很好的鈍化。在隨后的進一步氧化過程中，量子點能夠生成位錯（dislocations）結構缺陷，而且在氧化物-量子點的界面形成應力，促進In從量子點的核向表面擴散。這些變化過程導致熒光淬滅。

（2）

這項研究展示說明光照導致形成結構缺陷位點的機理和過程，并且說明缺陷的生成對量子點的發光性質的影響。

參考文獻

Baek, H., Kang, S., Heo, J. et al. Insights into structural defect formation in individual InP/ZnSe/ZnS quantum dots under UV oxidation. Nat Commun 15, 1671 (2024)

DOI: 10.1038/s41467-024-45944-2

https://www.nature.com/articles/s41467-024-45944-2