二維（2D）過渡金屬二硫族化合物（TMDs）由于其原子薄的結構和沒有懸空鍵的表面，導致其在下一代電子產品中極具前景。然而，與TMDs建立高質量的金屬接觸是一個關鍵挑戰，主要歸因于它們的超薄結構和精細晶格。當涉及“高能”工藝的傳統金屬化方法時，這些獨特特性使它們容易受到物理損傷和化學反應的影響。為了應對這一挑戰，范德華（vdW）接觸被提出作為一種“低能耗”的替代方案。近日，湖南大學Liu Yuan、Wang Yiliu綜述研究了2D過渡金屬二硫族化合物的范德華接觸。
本文要點：
1) 在vdW結構中，金屬接觸可以通過物理層壓/沉積在TMDs的2D結構上，確保形成原子和電子級的接觸界面，同時保持2D TMDs的固有特性。因此，大量的vdW接觸具有優異的物理傳輸性質或優異的器件性能。
2) 作者介紹了TMD晶體管中vdW接觸的最新進展，并討論了與每種器件幾何形狀相關的優點、局限性和前景。該綜述旨在全面了解當前的研究形勢，并對未來的研究方向提供見解。
Likuan Ma et.al van der Waals Contact for Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides Chem. Rev. 2024
DOI: 10.1021/acs.chemrev.3c00697
https://doi.org/10.1021/acs.chemrev.3c00697
