無掩模多光子光刻能夠以比傳統(tǒng)光刻更低的成本和更容易獲得的方式制造任意納米結(jié)構(gòu)。多光子光刻的一個(gè)主要挑戰(zhàn)是由于不可避免的光學(xué)衍射屏障和鄰近效應(yīng)而實(shí)現(xiàn)超高精度和理想的橫向分辨率。鑒于此，來自浙江大學(xué)的劉旭、匡翠方教授等人研究出了一種方案，即光和物質(zhì)共約束多光子光刻，通過結(jié)合光抑制和化學(xué)猝滅劑來克服這些問題。
文章要點(diǎn)：
1) 該研究發(fā)現(xiàn)了光與物質(zhì)共約束多光子光刻的猝滅機(jī)制和光抑制機(jī)制，并且，數(shù)學(xué)建模有助于更好地理解猝滅劑和光抑制的協(xié)同作用可以獲得最窄的自由基分布；
2) 此外，該研究表明，通過使用光和物質(zhì)共約束多光子光刻，可以獲得30?nm臨界尺寸和100?nm橫向分辨率，這進(jìn)一步減小了與傳統(tǒng)光刻的間隙。
參考資料：
Guan, L., Cao, C., Liu, X. et al. Light and matter co-confined multi-photon lithography. Nat. Commun. (2024).
10.1038/s41467-024-46743-5
https://doi.org/10.1038/s41467-024-46743-5
