在襯底上生長(zhǎng)全無(wú)機(jī)鈣鈦礦型單晶微結(jié)構(gòu)是構(gòu)建光電子微器件的一種很有前途的方法。然而，目前的制備方法通常涉及對(duì)離子或原子的直接控制，這通常依賴于特定的晶格匹配襯底來(lái)進(jìn)行外延生長(zhǎng)，以及其他嚴(yán)格的條件，這些條件限制了溫和的制備和器件集成的靈活性。
在這里，天津理工大學(xué)Xiao Li，Tie Wang介紹了在襯底上制備CsPbBr3單晶微結(jié)構(gòu)的方法，這種結(jié)構(gòu)是通過(guò)納米顆粒自組裝輔助低溫?zé)Y(jié)(NSALS)獲得的。
文章要點(diǎn)
1）自組裝原子取向超晶格胚胎引導(dǎo)的燒結(jié)有利于在溫和的條件下形成單晶微結(jié)構(gòu)，而不依賴于襯底。所制備的襯底微結(jié)構(gòu)顯示出一致的離面取向，載流子壽命高達(dá)82.7 ns。
2）利用這些微結(jié)構(gòu)制作的光電探測(cè)器具有9.15 A/W的良好光響應(yīng)，動(dòng)態(tài)光學(xué)響應(yīng)的相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差低至0.1831%。在100 mm2的面積內(nèi)，具有174000個(gè)像素的分立式光傳感器微陣列芯片的響應(yīng)差異小于6%。
3）這種在襯底上生長(zhǎng)納米顆粒控制單晶的方法為溫和條件下制備和原位修復(fù)各種類型的晶體提供了前景。這一進(jìn)步可以推動(dòng)鈣鈦礦型器件的靈活集成和廣泛應(yīng)用。
參考文獻(xiàn)
Cancan Li, et al, On-Substrate Fabrication of CsPbBr3 SingleCrystal Microstructures via Nanoparticle SelfAssembly-Assisted Low-Temperature Sintering, ACS Nano, 2024
https://doi.org/10.1021/acsnano.4c00326
