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無定形半導體沒有晶格結(jié)構(gòu)，而且具有豐富的缺陷和陷阱結(jié)構(gòu)，因此人們通常認為無定形半導體對于光催化沒有幫助。

有鑒于此，西北工業(yè)大學黃維院士、王松燦教授、陜西師范大學朱剛強教授、昆士蘭大學王連洲院士等報道無定形ZnCdS光催化劑通過打破長程原子排列，從而產(chǎn)生偶極矩和較強的電場，促進電荷的分離和傳輸，從而能夠改善光催化制氫。

本文要點

（1）

當修飾1 wt. %的Co-MoS_x助催化劑，ZnCdS催化劑的制氫速率達到70.13 mmol g^-1 h^-1，這個性能達到晶化對比樣品的5倍，而且能夠進行160 h長時間光催化。

（2）

通過刮涂法（blade-coating）構(gòu)筑了20×20 cm²的Co-MoS₂/ZnCdS柔性光催化劑薄膜，在自然光照射條件下產(chǎn)生大量的H₂氣泡，說明這種方法在大規(guī)模光催化制氫領(lǐng)域的發(fā)展前景。

參考文獻

Wang, X., Liu, B., Ma, S. et al. Induced dipole moments in amorphous ZnCdS catalysts facilitate photocatalytic H₂ evolution. Nat Commun 15, 2600 (2024)

DOI: 10.1038/s41467-024-47022-z

https://www.nature.com/articles/s41467-024-47022-z