原子量子發(fā)射器的功能與它們的主晶格配位有著內(nèi)在的聯(lián)系。自發(fā)破壞晶格對稱性的結(jié)構(gòu)畸變強烈影響其光學(xué)發(fā)射特性和自旋光子界面。鑒于此，來自瑞士聯(lián)邦材料科學(xué)與技術(shù)研究所的Bruno Schuler研究發(fā)現(xiàn)了通過掃描隧道顯微鏡（STM）和非接觸原子力顯微鏡（nc AFM）對單層和雙層MoS2中兩個原型原子量子發(fā)射極的電荷態(tài)相關(guān)對稱性破壞的直接成像。
文章要點：
1) 該研究證實，通過改變內(nèi)置的基質(zhì)化學(xué)電位，可以穩(wěn)定硫空位（VacS）和取代錸摻雜劑（ReMo）的不同電荷狀態(tài)，同時，VacS-1和ReMo0和ReMo-1分別表現(xiàn)出由Jahn-Teller效應(yīng)（JTE）和偽JTE引起的的局部晶格畸變和對稱性斷裂缺陷軌道；
2) 此外，該研究表明，通過映射單點缺陷的電子和幾何結(jié)構(gòu)，驗證了空間平均、電荷多穩(wěn)態(tài)、構(gòu)型動力學(xué)和外部擾動的影響，這些影響往往掩蓋了局部對稱性破壞的存在。
參考資料：
Xiang, F., Huberich, L., Vargas, P.A. et al. Charge state-dependent symmetry breaking of atomic defects in transition metal dichalcogenides. Nat. Commun. (2024).
DOI：10.1038/s41467-024-47039-4
https://doi.org/10.1038/s41467-024-47039-4
