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量子材料中的對稱性破壞具有重要意義，其可以導致非互易電荷輸運。拓撲絕緣體由于其表面狀態，特別是外部磁場下的量子霍爾態，使其為研究非互易電荷輸運提供了一個有效平臺。近日，南京大學宋鳳麒、王學鋒、Zhang Shuai報道了拓撲絕緣體中量子霍爾態的巨非互易電荷輸運。

本文要點：

1)在由本征拓撲絕緣體Sn–Bi_1.1Sb_0.9Te₂S組成的器件中，作者報道了由量子霍爾態介導的非互易電荷傳輸，這歸因于量子霍爾態和狄拉克表面態之間的不對稱散射。

2) 此外，作者發現巨非互易系數高達2.26 ×?10⁵??^?1。該工作不僅揭示了拓撲絕緣體中量子霍爾態的非互易電荷輸運性質，而且為未來的電子器件設計鋪平了道路。

參考文獻：

Chunfeng Li et.al Observation of giant non-reciprocal charge transport from quantum Hall states in a topological insulator Nature Materials 2024

DOI: 10.1038/s41563-024-01874-4

https://doi.org/10.1038/s41563-024-01874-4