低維材料的范德華（vdW）組件已經證明了創建具有按需性能的結構的能力。據預測，vdW封裝可以誘導幾GPa的局部高壓，這將極大地改變被捕獲材料的結構和性能。鑒于此，來自上海交通大學的史志文教授研究發現了由vdW封裝引起的碳納米管（CNTs）的結構坍塌。
文章要點：
1) 該研究證實，通過簡單地用六方氮化硼薄片覆蓋CNTs，大多數CNTs（≈77%）會從管狀結構轉化為塌陷的平面結構，并且，無論其原始直徑如何，所有坍塌的CNTs都表現出≈0.7nm的均勻高度，大致相當于雙層石墨烯的厚度，同時，拉曼光譜進一步證實了這種結構坍塌，拉曼光譜顯示出拉曼G峰的顯著加寬和藍移；
2) 此外，該研究表明，通過局部vdW壓力的分子動力學模擬，可以完全捕捉到vdW封裝誘導的CNTs坍塌，進一步的近場光學表征揭示了伴隨CNT結構坍塌的金屬-半導體轉變，同時，該研究不僅為基礎研究提供了一種產生局部高壓的方便方法，而且為納米電子應用提供了一個坍塌的CNT半導體。
參考資料：
Hu, C., Chen, J., Zhou, X. et al. Collapse of carbon nanotubes due to local high-pressure from van der Waals encapsulation. Nat. Commun.(2024).
DOI：10.1038/s41467-024-47903-3
https://doi.org/10.1038/s41467-024-47903-3
