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當傳統電介質面臨接近擊穿極限的泄漏問題時，探索具有大電容耦合的新型電介質是現代電子中的一個重要課題。近日，為了應對這一挑戰，南京大學袁洪濤、楊玉榮、斯坦福大學崔屹院士、南方科技大學薛其坤院士報道了稀土金屬氟化物具有超過20?μF?cm^?2的電容耦合，并且其與器件制造工藝具有良好的兼容性。

本文要點：

1)與傳統電介質相比，氟化物門控邏輯反相器具有更高的靜態電壓增益值（超過~167）。此外，氟化物門控的應用使NAND、NOR、AND和OR邏輯電路能夠以低靜態能耗進行工作。

2) 此外，Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ的超導體-絕緣體轉變也可以通過氟化物門控實現。該發現強調了氟化物電介質是電子應用和調整凝聚態中電子態的有效平臺。

參考文獻：

Kui Meng et.al Superionic fluoride gate dielectrics with low diffusion barrier for two-dimensional electronics Nature Nanotechnology 2024

DOI: 10.1038/s41565-024-01675-5

https://doi.org/10.1038/s41565-024-01675-5