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Angew:CuxS透明層改善Sb2S3光電性能
納米技術(shù) 納米 2024-05-16

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Sb2S3被應(yīng)用于光電化學(xué)的光吸收材料,但是Sb2S3具有p型性質(zhì),從而與基底形成Schottky異質(zhì)結(jié),阻礙了光生空穴的收集。

有鑒于此,中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所吳驪珠院士等首次在Sb2S3底部修飾薄層CuxS,通過CuxS具有的優(yōu)異電學(xué)性能和光學(xué)性質(zhì),CuxS層的功函高達(dá)4.90 eV。因此與p型Sb2S3之間接觸時(shí),能帶向上偏移,并且構(gòu)成歐姆接觸的透明空穴傳輸層。

主要內(nèi)容

(1)

超薄的透明CuxS層能夠保證Sb2S3/CuxS能夠背照射,從而有助于與本征催化劑層結(jié)合,構(gòu)筑光電化學(xué)催化反應(yīng)器件。通過修飾Pt納米粒子,在0 V過電勢的光電流密度達(dá)到-5.38 mA cm-2,性能顯著的比沒有加入CuxS時(shí)顯著提高。

(2)

通過引入分子復(fù)合的TC-CoPc@炭黑,0 V的光電流還原CO2密度提高至-0.44 mA cm-2,比沒有加入CuxS的光電流更高(-0.03 mA cm-2)。


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參考文獻(xiàn)

Shuai Zhou, Li-Jun Zhang, Jian Li, Chen-Ho Tung, Li-Zhu Wu, Engineering Ultrathin CuxS Layer on Planar Sb2S3 Photocathode to Enhance Photoelectrochemical Transformation, Angew. Chem. Int. Ed. 2024

DOI: 10.1002/anie.202407836

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/anie.202407836


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