Sb2S3被應(yīng)用于光電化學(xué)的光吸收材料,但是Sb2S3具有p型性質(zhì),從而與基底形成Schottky異質(zhì)結(jié),阻礙了光生空穴的收集。
有鑒于此,中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所吳驪珠院士等首次在Sb2S3底部修飾薄層CuxS,通過CuxS具有的優(yōu)異電學(xué)性能和光學(xué)性質(zhì),CuxS層的功函高達(dá)4.90 eV。因此與p型Sb2S3之間接觸時(shí),能帶向上偏移,并且構(gòu)成歐姆接觸的透明空穴傳輸層。
主要內(nèi)容
參考文獻(xiàn)
Shuai Zhou, Li-Jun Zhang, Jian Li, Chen-Ho Tung, Li-Zhu Wu, Engineering Ultrathin CuxS Layer on Planar Sb2S3 Photocathode to Enhance Photoelectrochemical Transformation, Angew. Chem. Int. Ed. 2024
DOI: 10.1002/anie.202407836
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/anie.202407836