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AEM:鹵代空穴選擇性接觸增強鈣鈦礦太陽能電池的界面弱鍵合
NavyLIu NavyLIu 2024-05-27

image.png鈣鈦礦和電荷傳輸層之間的弱鍵合導致界面缺陷,阻礙電荷轉移并限制鈣鈦礦太陽能電池(PSC)的效率和穩定性。為了解決這個問題,揚州大學丁建寧、江蘇大學程明、德國研究所柏林亥姆霍茲中心Li Guixiang設計了兩種鹵代螺[-9,9-]基分子(SFX-DM-FSFX-DM-Cl)作為鈣鈦礦和空穴傳輸材料(HTM)之間的界面層。

 

本文要點:

1) 作者通過第一性原理模擬和實驗表明,這些鹵化界面層提高了鈣鈦礦PbII)和HTM之間的接觸穩定性,并且提高了電荷轉移效率。中間層的結構與HTM相似,并且增強了界面空穴轉移,從而有利于空穴傳輸。

2) 基于SFX-DM-ClPSC實現了24.8%0.0625 cm2)和23.1%1 cm2)的功率轉換效率。即使在1520%的相對濕度下運行2000小時,未封裝的PSC仍保持其初始效率的94%

 

參考文獻:

Aili Wang et.al Halogenated Hole Selective Contact Enhances Interfacial Weak Bonding of Perovskite Solar Cells Adv. Energy Mater. 2024

DOI: 10.1002/aenm.202400640

https://doi.org/10.1002/aenm.202400640


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