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Nano Lett:相和缺陷工程化MoSe2納米片用于增強近紅外二區光熱免疫治療
柚子 柚子 2024-07-02

光熱治療(PTT)過程誘導的免疫原性細胞死亡(ICD)可以有效觸發光熱免疫治療(PTI)。然而,單純PTT誘導的ICD往往會受到PTT效率不足、腫瘤細胞免疫原性低以及氧化還原微環境失調等因素的限制。有鑒于此,南京郵電大學汪聯輝教授、羅志敏教授、香港大學譚超良教授和國家納米中心拱越研究員通過對MoSe2進行相和缺陷工程,開發了具有高金屬1T相以及豐富的活性Mo中心的MoSe2納米片,并證明了其能夠作為一種有效的PTI納米制劑。

 

本文要點:

(1)研究發現,MoSe2納米片中的金屬1T相使其具有較強的PTT性能,大量暴露的活性Mo中心則使其具有較高的谷胱甘肽(GSH)消耗活性。

(2)實驗結果表明,MoSe2介導的高效PTT能夠與有效的GSH消耗相協同以促進腫瘤相關抗原的釋放,從而誘導產生強大的ICD,顯著增強檢查點阻斷免疫治療,并且可以在結直腸癌和轉移性三陰性乳腺癌小鼠模型中激活全身免疫應答。

Zhusheng Huang. et al. Phase and Defect Engineering of MoSe2 Nanosheets for Enhanced NIR-II Photothermal Immunotherapy. Nano Letters. 2024

DOI: 10.1021/acs.nanolett.4c01879

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.4c01879


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