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通過調節鹵化物鈣鈦礦/二維半導體vdW異質結能夠發展創新的柔性光電器件和光子器件。但是，如何生長高質量單晶鹵化物鈣鈦礦/2D半導體異質結并且獲得優異光學性質仍具有非常大的困難和挑戰。

有鑒于此，湖南大學段曦東教授等報道合成特定晶面單晶鹵化物鈣鈦礦/2D半導體異質結的通用方法，合成的異質結材料能夠通過選擇耦合層材料的性質，實現對異質結結構的調節和設計。

本文要點

(1)

這種通用的合成vdW異質結策略能夠用于全無機鈣鈦礦或者有機-無機雜化鈣鈦礦，包括過渡金屬硫化物或者2D異質結。

由于能夠降低能量的紊亂，因此構筑的CsPbI₂Br/WSe₂異質結具有超高的光吸收系數，而且降低產生增益的閾值，具有更高的增益壽命。鹵化物鈣鈦礦/2D半導體異質結激光器在單模激光模式具有非常好的重復性，而且顯著降低激光閾值，改善穩定性。

(2)

這項研究為發展高質量的光電器件和光子物理學器件提供幫助，能夠用于發展芯片激光器、納米光子學器件、電子-光子集成的體系。

參考文獻

Zhang, L., Wang, Y., Chu, A. et al. Facet-selective growth of halide perovskite/2D semiconductor van der Waals heterostructures for improved optical gain and lasing. Nat Commun 15, 5484 (2024).

DOI: 10.1038/s41467-024-49364-0

https://www.nature.com/articles/s41467-024-49364-0