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一維金屬過渡金屬硫化物納米線能夠作為具有前景的互聯器件（interconnecting device），但是目前人們難以得到很好的各項同向生長。

有鑒于此，南方科技大學林君浩、朱亮等通過石墨作為限域組裝層，通過外部刺激，在二維MoTe₂得到高度取向的Mo₆Te₆納米線。

本文要點

通過掃描透射電子顯微鏡和原位電化學偏置技術研究原子結構變化，原子分辨率的高角暗場STEM成像表征說明MoTe₂只有沿著特定方向才能夠轉化為Mo₆Te₆納米線，通過第一性原理計算，說明石墨-MoTe₂異質結附近的電化學偏置以及石墨產生的限域作用產生局部Joule加熱，從而產生定向生長。

通過這種策略構筑了限域在石墨內部的納米線，并且作為2H-MoTe₂晶體管電路的電極，實現了僅為11.5 meV的Schottky能壘，43.7 Ω的接觸電阻。這項工作說明制備取向納米線的前景。

參考文獻

Yang, Q., Wang, YP., Shi, XL. et al. Constrained patterning of orientated metal chalcogenide nanowdires and their growth mechanism. Nat Commun 15, 6074 (2024).

DOI: 10.1038/s41467-024-50525-4

https://www.nature.com/articles/s41467-024-50525-4