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反摻雜是優化GeTe中過高載流子濃度的一種有效策略，但它會損害載流子輸運并降低遷移率，從而限制了提高ZT的潛力。近日，四川大學昂然、Sun Qiang提出了一種克服該挑戰的新方法，即在Cu₂Te合金（Ge_0.84Cd_0.06Pb0_.10Te）中實現了贗立方GeTe、Cu₂Te和PbTe相之間的多相相干納米界面網絡，并且具有有效的Cu離子離域。

本文要點：

1) 這種設計選擇性調控電荷載流子和聲子輸運，導致遷移率增加和載流子濃度優化，從而有助于提高功率因數，即在653 K下具有≈0.33 W m^?1 K^?1的超低晶格熱導率。因此，在（Ge_0.84Cd_0.06Pb_0.10Te）_0.99（Cu₂Te）_0.01中，803 K下的峰值ZT≈2.22，303至803 K的平均ZT≈1.40。

2) 在制造的7對熱電模塊中，作者在400 K的溫差下實現了≈1.47 W cm^?2的高功率密度。此外，作者組裝了一個熱電能量收集陣列裝置，并展示了其在激光非輻射能量收集和非接觸式熱補償中的應用潛力。

參考文獻：

Jianglong Zhu et.al Multiphase Coherent Nanointerface Network Enhances Thermoelectric Performance for Efficient Energy Conversion and Contactless Thermosensation Applications in GeTe Adv. Energy Mater. 2024

DOI: 10.1002/aenm.202402552

https://doi.org/10.1002/aenm.202402552