從非層狀的三維非vdW晶體剝離二維納米片對于材料科學領域是個非常重要的策略，能夠擴展2D材料庫的種類。但是三維非vdW晶體剝離納米片的剝離機理與層狀材料之間的區別仍并不清楚。
有鑒于此，新加坡國立大學Slaven Garaj、Silvija Grade?ak等報道通過液相剝離、STEM、Raman光譜、DFT理論計算進行結合，發現3D硼晶體的平面缺陷有助于剝離形成2D硼納米片。
本文要點
（1）
在研究中發現沿著β-菱方結構的硼晶體{001}面切割得到的2D硼納米片含有二十面體次級單元平面排列結構。
（2）
3D硼晶體內的堆垛層錯（stacking faults）導致剝離納米片內形成層錯性相互平行的方向，因此能夠降低切斷{001}面的能量。平面缺陷結構說明剝離3D硼以及其他共價鍵結構材料的前景。
參考文獻
Chung, JY., Yuan, Y., Mishra, T.P. et al. Structure and exfoliation mechanism of two-dimensional boron nanosheets. Nat Commun 15, 6122 (2024).
DOI: 10.1038/s41467-024-49974-8
https://www.nature.com/articles/s41467-024-49974-8
