下一代電子設(shè)備對于具有可變形形狀因子的高效和高清顯示器的需求十分關(guān)鍵，盡管量子點(diǎn)（QD）具有獨(dú)特的優(yōu)勢，包括高光致發(fā)光量子產(chǎn)率、寬色范圍和高色純度，但開發(fā)用于高清像素和高效QD發(fā)光二極管（QLED）的QD圖案化工藝仍處于早期階段。近日，來自蔚山國立科學(xué)技術(shù)研究所（UNIST）的Moon Kee Choi，Jiwoong Yang和首爾國立大學(xué)的Taeghwan Hyeon等人通過QD/ZnO薄膜的超高清雙層轉(zhuǎn)印來展示高效的QLED。
文章要點(diǎn)：
1) 該研究發(fā)現(xiàn)，粘彈性印章的表面工程實(shí)現(xiàn)了雙層轉(zhuǎn)印，可以創(chuàng)建每英寸2565像素的RGB像素化圖案和每英寸20526像素的單色QD圖案，且通過雙層轉(zhuǎn)移印刷將量子點(diǎn)和ZnO納米粒子緊密堆積，大大減少了漏電流，將器件的外部量子效率提高到23.3%；
2) 此外，該研究還展示了通過這一技術(shù)制造的高效可穿戴QLED，這項(xiàng)研究為通過轉(zhuǎn)印技術(shù)開發(fā)高效、全彩QD顯示器奠定了基礎(chǔ)，展示了下一代顯示技術(shù)的巨大前景。
參考資料：
Yoo, J., Lee, K., Yang, U.J. et al. Highly efficient printed quantum dot light-emitting diodes through ultrahigh-definition double-layer transfer printing. Nat. Photon. (2024).
10.1038/s41566-024-01496-x
https://doi.org/10.1038/s41566-024-01496-x
